台积电与CEA-Leti合作推动无光罩微影技术

　　为积极朝向22纳米制程技术前进，台积电宣布与法国半导体研究机构CEA-Leti签订合作协议，将参与由CEA-Leti主持的IMAGINE产业研究计画，就半导体制造中的无光罩微影技术进行合作，这项计画为期3年。日前曾传出，由于经济前景不明，部分设备商延后22纳米制程技术研发，台积电此举则希望更积极主动推动22纳米无光罩微影技术。

　　这次台积电参与的CEA-Leti IMAGINE研究计画为期3年，所有参与这项计画的公司都可取得无光罩微影架构供IC制造使用，也可以藉由设备商Mapper所提供的技术提高生产效率。这项研究计画包涵了无光罩技术的设备评估、制像与制程整合、资料处理、原型制作与成本分析等多项技术。

　　台积电研发副总孙元成表示，推动具成本效益的微影技术，而发展无光罩微影技术即是潜在的解决方案之一。之前台积电已宣布与Mapper一同开发多重电子束微影技术，供22纳米及更先进的制程使用，这次藉由参与CEA-Leti的IMAGINE研究计画，希望与半导体产业结盟，加速无光罩微影技术在IC制造领域的发展与推广。

　　CEA-Leti总执行长Laurent Malier也指出，微影技术是半导体产业的一项主要挑战，未来采用无光罩的解决方案可提供弹性与得到机台的成本优势，同时与设备商Mapper相结合，也看到了提升生产效率的可能性。这次台积电的加入对IMAGINE研究计划相当重要，从台积电的角度，不仅可强化制造可行性的评估，同时重量级业者参加，也将带领无光罩微影技术迈向发展进程下一步，成为可运用在22纳米制程的解决方案。

　　台积电日前表示，目前Fab12 P4已经导入机器设备，接下来将做为台积电的研发总部，未来将投入28、22纳米制程技术研发与先期量产工作。台积电于45纳米导入浸润式微显影(immersion lithography)也是与设备商ASML共同开发的成果，而在22纳米制程技术以下，台积电除了与ASML共同合作深紫外光(EUV)解决方案，也寻求无光罩微显影的解决方案。