海力士、LG、三星和Silicon Image建立下一代内存接口技术规范

　　海力士半导体公司(Hynix Semiconductor, Inc.，other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星电子株式会社(other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司日前宣布组成一个行业联盟，推广串行端口内存技术(SPMT?)在市场的应用，努力使之成为行业标准。作为首个针对动态随机存储器(DRAM)的内存规范，SPMT将首先把目光对准手机市场，推动产生能够运行数据高度密集的富媒体应用、同时电池寿命更长的新一代移动设备。

　　SPMT, LLC的首席技术传导官Jim Venable表示：“我很高兴看到这样几家顶尖公司走到一起，共同组建SPMT联盟来开发和推广一种新的内存接口架构规范，以满足富媒体移动设备不断发展的需求。“串行端口内存技术将成为业界科技发展的一大步，将为手机设计人员开发新一代产品提供全新的视野。”

　　未来随着手机具备越来越多电脑中的常见功能以及手机和手持富媒体设备间的界限越来越趋于模糊，为满足对更大带宽以及低功耗和低成本的需求，新型的内存架构就必不可少。

　　海力士半导体内存产品部高级副总裁JB Kim表示：“成功的移动产品解决方案不仅要实现更多的功能和特点，还要想办法延长电池寿命。SPMT已经为满足前沿移动设备的需求做好了准备，SPMT工作团队将为这一不断发展的市场定义下一代内存接口的标准，能成为该团队的一部分我们感到十分自豪。”

　　设立SPMT联盟的宗旨是为实现新一代移动设备所需的带宽灵活性和可扩展性提供相应的技术，同时大大减少引脚数量(pin count)，降低功耗及成本。

　　SPMT联盟的创始成员(推广者)组成该组织的管理机构，并与贡献成员一道，负责开发具有以下特点的SPMT规范：

　　——与现有DRAM技术相比引脚数量降低至少40%;

　　——灵活的带宽，从200 MB/s到12.6 GB/s及以上不等;

　　——连接至单一SPMT内存芯片的单一或多端口配置

　　LG Electronics研发采购部门的Myung Ryu表示：“随着移动手机设备的升级换代，对由超先进内存设备支持的富媒体应用的需求将不断增长。作为推广者加入SPMT联盟将帮助我们确保未来发布新产品时业界已经拥有相应的技术支持。”