汽车电源(07-100)

　　图1 用P沟MOSFET的一般电压保护电路

　　另一种方法包含1个NPN晶体管，其集电极连接到电池上，发射极连接到下游电路。连接在晶体管基极和地之间的齐纳二极管箝位基极电压，因此调整发射极电压(VBE)低于电压V2。尽管此电路比MOSFET电路成本低，但效率低。此外，跨接在晶体管上的压降增加了最小工作电池电压，此电压在冷曲轴期间是关键性的。

　　第3种可能的方案包含1个N沟MOSFET，用做阻塞元件。N沟MOSFET比P沟MOSFET便宜。然而，驱动栅极的电路是比较复杂的，栅极上的电压必须高于源极上的电压。Maxim公司的MAX6398包含1个驱动外部N沟MOSFET的内部电荷泵(图2)。在负载卸载期间，当VBAT高于设置限值时MOSFET完全关断;只要VBAT保持大于设置电压，它就一直保持关断状态。MAX6398控制N沟MOSFET来保护高性能电源防止来自汽车过压。连接下游的MAX5073 2MHz两输出降压变器减小了电路尺寸。保护器与低电压/高频电源相接合的方法与工作在显著较低频率的高压变换器相比节省空间和成本。

　　图2 N沟MOSFET开关用做阻塞器件