准谐振反激式电源设计之探讨(05-100)

　　低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振 (Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法，以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSFET的开关损耗，从而提高可靠性。此外，更软的开关改善了电源的EMI特性，允许设计人员减少使用滤波器的数目，因而降低成本。本文将描述准谐振架构背后的理论及其实施，并说明这类反激式电源的使用价值。

　　基本知识

　　“准”(quasi)是指有点或部分的意思。在实现准谐振的设计中，现有的L-C 储能(L-C tank) 电路正战略性地用于PWM电源中。结果是L-C 储能电路的谐振效应能够“软化”开关器件的转换。这种更软的转换将降低开关损耗及与硬开关转换器相关的EMI。由于谐振电路仅在相当于其它传统方波转换器的开关转换瞬间才起作用，故而有 “准谐振”之名。

　　要理解这种设计的拓扑结构，必须了解MOSFET和变压器的寄生特性。MOSFET包含若干个寄生电容，主要从器件的物理结构产生。它们可以数学方式简化为MOSFET输入电容CISS，和MOSFET输出电容COSS，这里

　　CISS = CGS + CDG

　　COSS = CDS + CDG

 

　　图1 MOSFET输入和输出电容

　　在硬开关转换器中，输出电容COSS是开关损耗的主要来源。

　　变压器也包含了寄生电容。这些电容包括绕组间电容和层间电容，它们可以一起转型为单一的电容CW，也是硬开关转换器开关损耗的主要来源。