SanDisk与东芝合资开发3D内存芯片

　　6月19日消息，据国外媒体报道，闪存制造商SanDisk公司近日发布了报送给美国证券交易委员会的一份报告，该报告称，SanDisk将与东芝公司合作，共同开发和制造可重写3D内存。

　　SanDisk公司称，两家公司将共同致力于3D内存芯片的开发和生产，并共享与开发项目有关的专利许可技术。作为合资企业一部分，东芝将向SanDisk支付许可费用。

　　双方合资最终将导致一种可替代NAND闪存的新型内存技术，SanDisk是NAND型闪存的主要生产商之一。后者被iPod、iPhone、数码相机和其他设备用作储存图片、歌曲和其他数据。

　　3D内存芯片并非新概念，它是数年前为降低成本和储存更长时间信息而开发的技术。与NAND闪存相比，3D内存储存的信息可保存100年以上。Matrix Semiconductor在数年前开发出了3D内存芯片，方法是以垂直方式堆叠内存颗粒，而不是以往的水平方式。Matrix公司称，新方法可降低成本。Matrix曾与台积电公司共同生产芯片，但并未进入量产。

　　SanDisk公司在2005年收购了Matrix，东芝与SanDisk合资企业开发的3D内存与Matrix芯片最大区别是: Matrix芯片无法重新写入数据，数据一旦存入就只能永久保存在介质中。反之，可重写3D内存可反复重写。

　　就在几年前，东芝开发出了垂直堆叠的可重写3D闪存芯片，东芝当时已经生产了芯片样品，但没有投入商业生产。

　　SanDisk与东芝打算整合双方的知识产权和技术人才，以便进一步开发3D内存芯片和生产技术。两家公司没有透露合资企业的设立成本，也未说明相关许可费用。

　　有分析师指出，3D内存芯片不会很快上市销售，困难之一是这种芯片难于进入大规模量产阶段。东芝和SanDisk需要三到四年时间才能拿出可与NAND闪存竞争的3D内存。