全球DRAM产业分分合合 结盟变化显示激烈竞争势态

　　日本大厂（Elpida）与德国DRAM大厂（Qimonda）24日宣布，已签订共同开发技术合作意向书，携手开发新世代DRAM技术，不仅宣告沟槽式记忆体阵营将成为过去式，奇梦达也将与力晶化敌为友，与尔必达站在同一阵线力抗业界龙头韩国三星电子。

　　这是继上月初台塑集团旗下南亚科技宣布将与奇梦达终止合作，转投美商美光（Micron）阵营后，全球DRAM业又一次势力大重组。根据DRAM市调机构集邦科技（DRAMeXchange）调查，奇梦达与尔必达去年全球市占率排名分居第三、四名，两家结盟后市占率25.6%，超过三星的25.5%，成为全球第一大DRAM阵营。

　　“E（Elpida）Q（Qimonda ）联盟”形成后，双方将以堆叠式（Stack）技术为基础，携手进行新世代DRAM技术研发，最快2010年将有成果问世。

　　过去奇梦达与尔必达分属全球DRAM两大集团势力，奇梦达代表沟槽式（Trench）技术阵营，原联盟成员包括南科、华亚科、华邦电、中芯等；尔必达则主攻堆叠式，联盟成员包括力晶、中芯等，两大势力相互竞争，但双方结盟后，将从竞争者转换为合作伙伴。

　　对于尔必达将与奇梦达结盟，力晶24日表示“乐见其成”。力晶透露，尔必达先前已有告知该公司“会新增合作伙伴”，不过，力晶是尔必达最早期且最重要的合作伙伴，双方关系不会因为奇梦达的加入而有改变。

　　根据尔必达与奇梦达发布的新闻稿，两家公司将联手开发新一代的记忆体晶片，由奇梦达提供其创新的Buried Word-line关键技术，尔必达则提供其先进的堆叠技术，加速在DRAM 4F2Cell尺寸产品蓝图发展，预计在2010 年推出共同开发的40奈米制程技术，并向下延伸至30奈米世代。

　　两家公司也计划共同发展技术平台及设计规范，以促成产品交换及合资生产的可行性，目前双方也锁定在各自的日本广岛及德国德勒斯登厂，密切合作研发计划，同时也寻求在直通矽晶穿孔技术（Through Sili-con Via）及未来记忆体的合作可能。

　　24日美股开盘不久，奇梦达美国存托凭证（ADR）股价上涨6.20%；尔必达欧洲存托凭证（GDR）上涨3.02%，三星GDR也上涨2.24%。

　　DRAM寻求联盟 避免淘汰

　　DRAM产业经历颇长一段期间的低潮后，原本业界预期会有晶片制造商在景气低迷时退出市场，却没有发生，反倒在价格将从谷底反弹之际，陆续出现新的策略联盟案，导致DRAM产业大洗牌。

　　从历史经验来看，DRAM产业已历经多次大洗牌，1986年至1987 年时，是第一次业界大变动，当时连全球电子业巨擘英特尔都被迫退出DRAM战场；1996年至1997年，业界第二次大变革，全球DRAM制造业者从20多家锐减至个位数。

　　DRAM产业波动性大，价格如同云霄飞车般上上下下，全球DRAM厂最近几季普遍大赔，除了钜额的12吋厂投资回收遥遥无期外，还得花上不少钱进行先进制程研发，这样庞大的资金支出，已经不是一家业者能够承担，若能多家业者一起合作，才有机会突破重围，谋求生路。

　　DRAM业发展迄今，业者退场、寻求联盟都已不是新鲜事，除了龙头厂三星还在单打独斗，其余业者都面临结盟“打群架”的命运。然而在一波波的产业淘汰赛后，目前在台面上的DRAM厂可都是有两把刷子的资优生，往后的竞争恐怕也会比过往更激烈。