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我国抗2000℃超高温冲击压力传感器研制成功

作者:时间:2008-04-25来源:EDN行业资讯收藏

  一种可抗2000℃瞬时超高温冲击的硅隔离耐高温日前在精密工程研究所研制成功。专家认为,这一国家“863”计划项目的完成,将有效解决我国航空航天、石油化工、等领域高温环境下压力测量和瞬时高温冲击下传感器失效的技术难题,打破了国外同类产品对我国传感器市场的垄断,提升了我国这一行业的整体水平和国际竞争能力,具有很高的推广和使用价值。常规的硅只能在120℃以下进行压力测量,超过120℃时,传感器的性能会严重恶化以至失效。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/81903.htm

  常规的测量方法和手段不能满足高温等恶劣环境下的压力测量和自动化领域越来越高的测量精度要求,致使我国高温产品长期以来主要依赖进口。研制的耐高温能在-30℃~250℃环境下进行压力测量,可完成1000Mpa以下任意量程范围的压力测量,能承受2000℃瞬时高温冲击。可满足高温、高压、高频响及瞬时高温冲击等恶劣环境下的压力测量,具有自主知识产权,填补了国内在此领域的多项空白,对于推动我国工业的发展,培养新的经济增长点具有重要意义。



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