深入研究DDR电源(07-100)
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为了对DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM间的差异进行比较，参考表2。
先将运行时钟频率或速度放在一边，单从工作电压这一点来看，我们能够看出DDR1、DDR2和DDR3存储器分别由2.8，1.8和1.5V的电压来供电。因此，与使用3.3V电压的SDRAM标准芯片集相比，这些存储器在产生更少热量同时还实现了更高的效率。DDR3通过采用 1.5V的工作电压，消耗的功率比DDR2(采用1.8V)更少——较DDR2降低了16.3%。DDR2和DDR3存储器都具有节能的特性，如采用了更小的页面尺寸和有效的掉电模式。而且，DDR存储器接口采用新的串联端接逻辑(SSTL)拓朴，旨在提高抗噪性、增加电源抑制并通过更低的电源电压来降低功耗(针对可比的速度)。另外值得注意的一点是，DDR3和DDR2 SDRAM支持片内端接，而DDR1 SDRAM不支持。
这些特性和功耗优势使它们特别适合用于笔记本电脑， 服务器和低功率移动应用。
这里，我们总结了不同的DDR SDRAM的电源管理系统需求。SDRAM和目前正在应用的DDR SDRAM相比的主要差别是：
·电源电压；
·接口；
·数据传输频率。
对于电源电压，DDR SDRAM系统要求三个电源，分别为表3所列的VDDQ、VTT和VREF。
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