闪存新公司恒亿负重前行 前景尚不…

 　　如果凭老东家的实力，新公司应该让人感觉很有希望。但是现实面临两个大的问题，其一是在专注的存储器领域强手如林，新公司能否脱颖而出；其二是老东家英特尔及意法是否肯下更大的赌注。

    全球头号芯片供应商英特尔与欧洲大厂STMicro合资新建的存储器厂Numonyx，中文名叫恒忆公司，于2008年4月1日作为一家全新的半导体公司正式问世。公司主要业务是整合NOR、NAND(两种存储器类型)及内置RAM（内存）的存储器，并利用新型相变移位存储器(PCM)技术，为存储器市场开发提供创新的存储器解决方案。公司主要为手机、MP3播放器、数码相机、超便携笔记本电脑、高科技设备等各种产品制造商提供全方位的服务。

    如果凭老东家的实力，新公司应该让人感觉很有希望。但是现实面临两个大的问题，其一是在专注的存储器领域强手如林，新公司能否脱颖而出；其二是老东家英特尔及意法是否肯下更大的赌注。所以新公司的前景让人打上问号。

Numonyx先天不足

    对于两家巨头公司而言，NOR闪存业务已成烫手山芋。翻阅2006年它们的成绩单：2006财年ST的NAND和NOR闪存业务总营收为15.7亿美元，亏损达5300万美元；英特尔闪存业务在2006年总营收虽为21亿美元，但亏损达到了6.38亿美元。

    而在2007年第一季度，依然亏损态势不减。在2007年一季度两家公司的闪存业务继续亏损严重，ST闪存业务营收仅为3.23亿美元，更是亏损了1700万美元，创出历史之最。英特尔闪存业务营收为4.69亿美元，总亏损已达2.83亿美元。iSuppli在2006年估计全球NOR闪存时表示，ST和英特尔合计占有NOR闪存的40%，Spansion占31%，Samsung占9%。而到2007年第一季度，他们的市场份额已下滑至36%，而Spansion增长至32%，Samsung上升到将近占13%。

    闪存业务2006年只占英特尔总营收的6%多一点，已是英特尔的鸡肋业务，将之剥离主体业务成为不二选择。而ST于2006年的营收为98.5亿美元，在全球半导体业中排名位居前三强，它在高能效器件、汽车等诸多领域成绩斐然，显然也希望将闪存业务剥离，亦有利于轻装上阵。所以双方成立合资公司，可能有两层目的，一方面有助于英特尔与意法半导体能摆脱亏损的NOR闪存芯片制造业务对公司业绩的影响。另一方面当然也设想依靠两者市场份额相加之后超过40%的实力，有望打造一个全新的闪存王国。

    意法半导体公司副总裁兼大中国区总经理BobKrysiak表示两家早有合并之意。而且闪存市场的特点，取得成功需要大规模的制造和量产能力，即建造超级Fab（晶圆厂）。

    但是实际上两家都有难处及自己的计划。在全球NOR闪存领域，Spansion目前坐头把交椅。Spansion对于此次英特尔与意法半导体在闪存业务上的合并反应并不如想象中那么强烈。

    Spansion表示，这将使客户对供应商的选择多样化，市场价格也更趋于稳定和理性，从而为Spansion提供了良好的机遇以获取更多的市场份额。Spansion强调其竞争优势在于：仍然是唯一一家投资300mm晶圆制造能力的NOR闪存供应商，并且正在逐步实施具有突破性的计划——— 在2007年实现65nmMirrorBit技术在300mm晶圆上的量产，以及在2008年推出45nmMirrorBit技术。坚信通过这些计划的实施，Spansion将拥有NOR闪存行业最低的成本结构，并有能力创造差异化的增值解决方案。

    而业界之所以对于合资公司存有疑问，表现在两家巨头公司对于未来的进一步投资都没有丝毫承诺。存储器业拼的是资金，需要采用最先进的制程及12英寸硅片的高产能。据说合资企业将承担13亿美元定期贷款和2.5亿美元的循环信贷，更重要的事实是这些债务将都要由合资公司承担。这意味着英特尔和意法将不会再对其合资企业的约8000名员工及36亿美元的年营收负责。英特尔和意法都没打算向合资企业提供任何帮助，仅希望其自主奋斗。“负重前行”的新合资公司要逾越这多重难关殊为不易。

相变存储器是否能重塑新格局

    让业界关注的是近年来正在实现商用的相变存储器。在2006年6月时，英特尔与ST就曾合作开发一种结合了NOR闪存与NAND闪存特点的新技术PCM(相变存储器)。据英特尔Roadmap显示，相变存储器的优势在于大于100万个写入周期，及大于10年的保存期，且无须删除，直接就可改写数据，因此性能要比DRAM（动态存储器）强多倍，将来是要替代DRAM市场，它在初期目标市场将是手机和其他便携式产品。

    ST公司曾称，容量达数GB的PCM将采用45nm或32nm工艺，将在2007年后生产样品，2008年后进行大量生产。英特尔曾表示，PCM产品可能会采用22nm工艺，这将意味着它的大量生产将在2010年之后。但PCM亦不是英特尔和ST独步天下的“独门利器”。目前包括IBM公司、Spansion、三星和NEC公司等厂商在内的其他许多公司也在努力开发 PCM 产品。Spansion开始研制结合了NOR与NAND闪存特点的芯片，三星推出了OneNAND和MSystems的mDOC等产品，这表明围绕闪存新技术PCM的竞争已然拉开序幕，一轮新的较量就此展开。作为相变存储器领域的领导者，英特尔与ST的合资公司能否借由PCM产品实现自我救赎，还要待市场作分晓。

    近日报道，Numonyx公司计划用以色列的一条8英寸生产线，于2008年第四季度开始生产NOR闪存，2009年时达到每周8000片。这是全球第一个用 45纳米制程生产NOR芯片的生产线。

    位于以色列南部的KiryatGat芯片厂，重新取名叫Fab1，目前采用65纳米制程，公司生产NOR闪存的规格从32Mb到1Gb，每单元只能存储一个数据位的单层单元到多层单元技术(MLC)的发展，不仅大幅度提高了存储密度，还降低了每个字节的存储成本，因此，采用多层单元和相变存储两大技术的存储器是存储器技术发展的一次重大进步。

    该工厂之前为英特尔的Fab18，从1999年开始釆用180纳米生产微处理器。因此工厂累积总投资已达22亿美元。2008年估计再投资5000万至1亿美元。目前Numonyx掌握全球NOR闪存的 35%市场份额，在Spansion和三星之后。

Numonyx前景需拭目以待

    英特尔与意法合资新建的Numonyx新厂，刚于4月1日正式亮相，在存储器的下降周期时诞生可能并不是好兆头。尽管它们的老东家的实力强大，但是从开始起它们对于成立新公司的目的就有甩包袱的嫌疑。

    虽然全球闪存市场的前景仍然看好，但只有那些舍得继续投入，采用最先进制程兴建超级芯片厂的制造商才能够获得成功，所以新公司将面临更大的竞争。

    开发新的存储器技术是能跳出目前拚投资怪圈的有效方法。虽然相变存储器PCM有许多优点，但必须要面临产业化的最大考验。因此预计下一步全球闪存制造商间的兼并重组不可避免。

    至于Numonyx的前景究竟如何？需拭目以待。

相关链接 存储器市场现状

    全球存储器市场已经经历过多次震荡，如1995年时，全球DRAM产值增长达40%，达到400多亿美元的高峰，1996年时却出现40%的负增长。到了1998年，同样的历程反过来又重演一次，当年的产值负增长达30%，而至1999年时却又大幅增长达60%。

    全球DRAM产业通过1995～2005年期间的筛选，已从20多个厂家，减至今天的5家主要大厂。他们分别为韩国的三星及海力士，日本的Elpida，美国的Micron及欧洲的奇梦达。我国台湾地区虽也有4大存储器制造或代工厂，分别为力晶，茂德，南亚及威邦，但由于缺乏自有的技术，只能作代工，还没有自有的品牌。如果计入代工能力之后，市场占有率三星仍占首位，达27%，海力士加茂德为26.6%，奇梦达加南科为16.9%，尔必达加力晶为15.8%，美光为11.2%。

    近期又报道美光与南亚合资要在美国Idaho再建12英寸厂，表明美国国家的意志在起作用，美国除了微处理器在全球称霸之外，在存储器中也不甘心落后。业界预计目前的存储器5大家即将发生变化，不知有谁将忍不住亏损而退出。

    实际上,2007年DRAM单元出货量增长81%，但是平均销价ASP下降达39%，超出业界的预期。据Gartner报道，2007年全球存储器销售额下降8.4%，NAND闪存销售额原先预期增长26%，实际仅增长2.3%，为133亿美元。而NOR型闪存从2006年的85亿美元，增加至2007年的98亿美元，增幅达15%。

    由此，或许可能产生另外一种观点，全球半导体业的周期性起伏越来越弱，而存储器的周期性却越来越明显，成为主导半导体业沉浮的主要推力。

闪存前景优于DRAM

    从SIA对各类器件在2007年至2010年期间的预测，如图所示，闪存的年均复合增长率达20%，而存储器仅为1.5%，表明闪存的前景看好。

    而在闪存中无论是NAND还是NOR型的表现均不差。仅从2008年来看，手机出货量将成长10%，达到12.33亿部，其中插记忆卡的比重占50%；数码相机出货量年增长率达14%，为1.3亿台；随身碟出货量年增长率达25%，为1.7亿部；MP3/PMP播放机的出货量年增率达20%，其中采用NAND闪存比重达85%。以下为2007年全球NAND闪存排名及市场份额表。

工艺技术跨入5x纳米12英寸占主流

    在摩尔定律指引下，全球半导体工艺制程几乎每两年跨入一个新的台阶。在采用最先进工艺制程中，存储器领先于逻辑电路，而存储器中尤以NAND闪存走在最前面，如图所示。

    全球存储器的主流工艺制程技术，在2005年时为90纳米，2007年时已进入70纳米制程，估计自2008年开始，全球几家顶级存储器厂都会向5x纳米过渡。全球DRAM厂花大钱投资70纳米制程，却因为DRAM价格下跌远快于DRAM制程技术所产生的成本下跌速度，使70纳米制程成为DRAM产业有史以来最短命的技术。通常一个世代制程技术大多可使用2年，有的3年，此次70纳米制程技术仅使用1年，恐是DRAM产业有史以来最不划算的投资。

    我国台湾地区的力晶于2007年第二季开始导入70纳米制程，会在2008年第二季时投入下世代65纳米制程技术。三星于2007年第二季度导入68纳米，2008年转入58纳米制程；海力士目前采用66纳米制程，2008年第二季度时将导入54纳米制程。至于沟槽式技术方面稍落后，现在导入70纳米，1年后导入58纳米制程。估计2008年全球NAND闪存厂将有可能进入40纳米制程竞争。

    随着先进制程在存储器业中的竞逐，12英寸硅片的性价比开始超出8英寸，导致全球存储器业开始淘汰8英寸而全面转向12英寸。在存储器业中全球有43条8英寸生产线，估计每年以25%左右的比例升级至12英寸或者售出。