读取隔离端数字状态无需附加电源(06-100)

　　如图1，2所示，MOSFET驱动器(IC1)和RC电路构成脉冲前沿触发电路，它们一起对送来的采样时钟前沿锁定，并为后级电路提供驱动。IC1(MAX5048)输出的5V脉冲施加到由两个微型变压器初级绕组构成的2:1电感分压网络，而该分压网络中点被连接到超快速比较器(IC3)的反相输入端。

　　假定此时DATA_IN上的数据为0(低电平)，则MOSFET处于断开状态,因此T2次级开路。根据分压电路，IC3反相端输入脉冲幅度为2.5V，因此使得其内部输出低电平。同时，IC2的两个门电路产生一个短脉冲送到比较器IC3(MAX913)的使能锁存端把低电平状态锁存到比较器外部输出端，因此得到与DATA_IN一样的状态。

　　相反，假定DATA_IN此刻为高电平，则MOSFET导通，使得RDSON为低阻状态，结果导致IC3反相输入端的脉冲幅度大大减小，低于其同相输入端电压，因此使能锁存端脉冲使得比较器输出高电平，再次得到与DATA_IN状态一致的结果。

　　图1中的变压器T1，T2磁芯采用了很普通的铁氧体磁珠(##2673000101)，3毫米长，直径为3.3毫米，T1，T2初级，次级绕组都只有一匝。为了减小寄生电感，T2与MOSFET之间的连线应该尽可能地短。因为变压器的击穿电压与隔离坝采用的绝缘材料及PCB板材有关, 例如,采用聚乙烯或聚亚酸胺绝缘材料，可使隔离坝承受数千伏特的电压(变压器的磁芯属于导电体)。

　　如果仔细绕制变压器,整个电路对外的电容大小主要由T2的匝间电容决定。当采用上述磁芯，及24号聚乙烯绝缘漆包线,T2的匝间电容会小于0.2pF.其结果使得从采样时钟前沿到DATA_OUT(见图2)延迟时间只有大约20ns。