功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)
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因为Q2 PNP不能流过任何反向电流，只要负电流出现，体二极管就开始导通，形成一个对地的负电压。选择Vacl电压源使得一旦Q3的源极存在负电压，NMOS的栅极就导通。负栅极电流流过Q3。此电路的工作原理如同有源电压钳位网络。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/81041.htm于是体二极管电压钳位到：
选择的Vacl值接近于Vth，这决定了DRV电压接近于驱动器的接地点。用这种方法可以实现虚拟接地。
Q3电流通过M1产生镜像。镜像电流通过Rsig 产生“信号”。信号的摆幅可与Vzcd进行比较，用来创建Vvalley信号。为了实现Vvalley信号不受干扰和灵敏的检测，必须选择发生在零点检测前一点的Vzcd电平，以便补偿比较器的传输延迟。
硅集成实现
在Soxyless功能模块中处理的信号是非常高速的信号。在典型的应用中，磁芯去磁之后发生的振铃周期在500kHz范围内。对应的半周期的数量级为1ms。很明显，谷点检测速度是一个影响精度的因素。
Soxyless模块的主要功能为：
·启动PNP
·禁用推挽驱动器的下部NFET
·在漏极电压振荡的负dV/dt部分在驱动器输出DRV上形成“虚拟地”
·捕获(流出DRV输出端的)负电流
·检测“正向ZCD DRV电流”
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