功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)
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其中：Lp是变压器初级电感；Cdrain是MOSFET漏极上的总电容。此电容包括缓冲电容(如有)，变压器绕组杂散电容和MOSFET寄生电容。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/81041.htm功率MOSFET模型
MOSFET的物理结构导致其端口之间形成电容。金属氧化物栅极结构决定了栅极到漏极(Cgd)以及栅极到源极(Cgs)的固有电容。漏极和源极之间的PN结(Cds)是因P+体的存在而产生，其中MOS单元建立在N+衬底顶部上的外延层附近。
Cgd和Cgs电容在高温中非常稳定，因为其介电材料由玻璃制成。
图4为功率MOSFET的器件模型。该模型显示存在3个电源电容，如图4所示。此种表示法更像是出自于器件工程师之手，而非应用工程师。实际上，在应用中使用的功率MOSFET的参数应是可从功率器件接入节点处测得的全局性代表参数。这意味着应用数据表中使用了其他电容定义，是内部电容的组合。
作为例子，表1显示了安森美半导体MTD1N60E数据表上的不同电容。
表1 功率MOS特性数据表
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