半导体二极管之双向触发二极管
一、双向触发二极管的结构与特性
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/78710.htm双向触发二极管由硅NPN三层结构组成，它是一个具有对称性的半导体二极管器件，可等效为基极开路、集电极与发射极对称的NPN半导体三极管，如图14-38所示。
双向触发二极管的伏安特性曲线如图14-39所示，其正向和反向具有相同负阻特性。当双向触发二极管两端所加电压V，低于正向转折电压VBO时，器件呈高阻状态。当外加电压升高到VBO时，器件击穿导通，由高阻转为低阻进入负阻区。同样，当所加电压大于反向转折电压-UBO时，器件也会击穿导通进入负阻区。有时又把转折电压称为穿通电压或击穿电压。转折电压的对称性用正负转折电压的绝对值之差表示。特性曲线中的△V，为动态回转电压，IB为漏电流，IBO为转折电流，IF为正向电流，-IF为反向电流。
双向触发二极管结构简单，价格低廉，常用来触发双向晶闸管，还可以用它组成过压保护等电路。
二、双向触发二极管的主要特性参数
双向触发二极管的外形如图14-40所示，其主要特性参数见表14-22。
三、双向触发二极管应用电路
1．双向触发二极管触发双向晶闸管的调压电路
采用双向触发二极管触发双向晶闸管的调压电路是一种典型而常用的触发电路，图14-41所示的就是采用这种电路构成的调压电路。在一般情况下，双向触发二极管呈高阻截止状态，只有当外加电压(不论正负)的幅值大于双向触发二极管的转折电压时，它便会击穿导通。
当电路接通交流市电后，交流市电便通过负载电阻RL及RP、R2向电容器C充电。只要电容器C上的充电电压高于双向触发二极管的转折电压，电容器C便通过限流电阻R1以及双向触发二极管VD1向晶闸管VS的控制极放电，触发双向晶闸管VS导通。改变电位器RP的阻值便可改变向C充电的速度，也就改变了双向晶闸管的导通角。由于双向触发二极管在正、反电压下均能工作，所以它能在交流电的正、负两个半周内均能工作。
2．过压保护电路
图14-42所示的是由双向触发二极管与双向晶闸管组成的过压保护电路。电压正常工作时加在双向触发二极管两端的电压小于转折电压，VD1不导通，双向晶闸管处于截止状态，负载RL可得到正常的供电。当供电电源的瞬态电压过压时，加在双向触发二极管两端的电压便会大于转折电压，VD1导通并触发双向晶闸管，使其也导通，使负载RL免受过压损害。
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