我国半导体技术在照明革命中抢占制高点

　　半导体光源具有体积小、寿命长、节能、环保和安全等特点，用它代替白炽灯、荧光灯是人们梦寐以求的目标。半导体照明产业属于光电子产业领域。随着第三代半导体材料氮化镓的突破和蓝、绿、白光发光二极管的问世，半导体技术在引发微电子革命之后，又在孕育一场新的产业革命——照明革命。美国、日本、韩国等国家和地区，近年来相继推出半导体照明计划，投入巨资进行研发。

　　我国“半导体照明工程”重大项目在探索性、前沿性材料生长和器件部分关键技术取得突破，部分核心技术突破的苗头已经显现。

　　目前，国内已首次成功生长出直径3英寸的SiC单晶，外延片上进行电致发光试验已得到蓝光输出;以企业为主体的100流明/瓦LED制造技术开发进展较快，特别是在图形衬底制备及外延生长、垂直结构LED芯片制备(衬底剥离和芯片黏接)技术、通过粗化提高光萃取效率技术等方面取得较好进展，在国际上首次推出功率型Si衬底LED芯片产品，已超过课题阶段任务目标;半导体照明公共研发平台取得阶段性进展，批量生产的白光LED发光效率最高为68lm/W(@350mA、3.21V)，处于国内高端水平，达到韩国、台湾地区产业化先进水平，提高了企业产品的市场竞争力;重大应用和规模化系统集成技术研究进展顺利，42英寸采用LED背光的液晶电视样机，已经展出，奥运两大场馆之一的国家游泳中心(水立方)5万平方米的LED景观照明工程已完成3轮现场试验;目前已制定行业标准3项，正在研究制定6项国家标准和10余项行业标准。