英飞凌授权IBM使用其嵌入式闪存制造工艺

　　德国infineon日前宣布，将授权130纳米制程嵌入式闪存芯片制造技术给IBM。而IBM方面预计会在未来相应产品中使用该制程技术生产的产品，并提供相应服务。此列芯片预计将会在IBM北美工厂制造。

　　英飞凌的130纳米嵌入式闪存技术早在2006年就已经进入量产阶段。主要应用于使用微控制器芯片的智能卡自动系统中。根据计划，IBM将会在其位于北美的vermont(佛蒙特州)200毫米晶圆工厂投产，预计会在2008年下半年进入量产阶段。

　　英飞凌是世界上第一家运用130纳米工艺实现嵌入式闪存产品量产的半导体制造商，拥有世界最领先的AODO-NG家族32位闪存微控制器TC1796和TC1766。它们专为轻型车辆、卡车和摩托车的发动机与变速箱控制系统而设计，能够帮助车辆改进性能、可靠性与安全性，并最大限度降低油耗与排放。据统计，欧洲每两辆(全球每三辆)汽车中就有一辆配备了英飞凌柴油或汽油引擎控制芯片。这些芯片用于控制喷油、点火、LAMBDA和废气再循环等。

　　“通过这项合作，英飞凌发挥了其自己的制造IP的价值，获得了新的批量制造伙伴，而且加强了我们与长期伙伴之间的工作关系”，英飞凌汽车、工业与多市场业务部主管PeterBauer表示。

　　IBM全球工程解决方案部门的半导体副总裁SteveLongoria表示：“通过与英飞凌合作，我们拓宽了自己的半导体产品范围。英飞凌是嵌入式闪存技术领域中的领先厂商。”“这项许可协议利用了我们现有的技术基础，而且补足了我们的模拟与混合信号专门技术。”

　　据悉，该计划将在2008年下半年推出初步设计工具上述工艺的整合与验证，目前工作已开始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圆厂进行。