功率MOSFET的保护 —— 作者：时间：2007-12-13来源：电子元器件网收藏 功率MOSFET的薄弱之处是栅极绝缘层易被击穿损坏，栅源间电压不得超过 关键词： 功率MOSFET 保护 半导体材料 评论 我来说两句…… 验证码： 相关推荐 晶圆制程(Wafer fabrication). 资源下载 半导体材料 晶圆制造 CZ法 LEC法 长晶法 | 2009-03-09 继电器的安装与保护 资源下载 继电器 安装 保护 | 2007-02-16 信产部关于保护民航无线电专用频率通告 liujt_ic | 2003-05-22 中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？ EDA/PCB 半导体材料 氮化镓 | 2023-08-17 Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET 电源与新能源 Vishay 650 V 功率MOSFET | 2023-09-04 运放差模电压击穿输入级的保护措施(一) 设计方案 运放 差模 电压 击穿 输入 保护 措施 | 2009-07-06 运放输出短路保护方法 设计方案 运放 输出 短路 保护 方法 | 2009-07-06 Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET 电源与新能源 Littelfuse PolarP P通道 增强模式 功率MOSFET | 2023-10-24 东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET 电源与新能源 东芝推 超级结结构 N沟道 功率MOSFET | 2023-06-13 新型传感器技术及应用 资源下载 高压 控制 开关 变电站 光学电流 电压传感器 罗柯夫斯基电流传感器 电阻式电压传感器 保护 | 2007-04-20 如何有效保护电子设计的知识产权 liujt_ic | 2003-05-17 商务部宣布对镓、锗相关物项实施出口管制！全球半导体承压 国际视野 半导体材料 镓 锗 | 2023-07-04 运放差模电压击穿输入级的保护措施(二) 设计方案 运放 差模 电压 击穿 输入 保护 措施 | 2009-07-06 运放电源电压极性反接的保护电路 设计方案 运放 电源 电压 极性 反接 保护 电路 | 2009-07-06 SEMI：全球半导体材料市场最新排名，大陆第二 国际视野 半导体材料 | 2023-06-15 如果中国切断芯片制造材料供应，世界将付出高昂代价 半导体，国际关系，半导体材料 | 2023-10-12 UPS的嬗变 liujt_ic | 2003-02-27 MPEG-4流媒体著作权保护标准基本确定 liujt_ic | 2003-04-09 运放共模电压击穿输入级及其保护措施 设计方案 运放 共模 电压 击穿 输入 及其 保护 措施 | 2009-07-06 IGBT的驱动与保护技术 资源下载 IGBT 驱动 保护 | 2007-02-16 东芝推出100V N沟道功率MOSFET,助力实现电源电路小型化 电源与新能源 东芝 功率MOSFET 电源电路 | 2023-06-29 IGBT的保护 资源下载 IGBT 保护 | 2009-08-05 IP 网络的保护与快速恢复 liujt_ic | 2003-05-06 英飞凌推出OptiMOS™功率MOSFET，扩大采用PQFN 2mmx2mm封装的产品阵容 电源与新能源 英飞凌 OptiMOS 功率MOSFET | 2023-08-03 启方半导体与威世签署功率MOSFET长期生产代工协议 电源与新能源 启方半导体 威世 功率MOSFET | 2023-10-11 上一篇：汽车产业为半导体供应商提供充足机会 下一篇：分析：今明两年半导体产业前景不容乐观 技术专区 FPGA DSP MCU 示波器 步进电机 Zigbee LabVIEW Arduino RFID NFC STM32 Protel GPS MSP430 Multisim 滤波器 CAN总线 开关电源 单片机 PCB USB ARM CPLD 连接器 MEMS CMOS MIPS EMC EDA ROM 陀螺仪 VHDL 比较器 Verilog 稳压电源 RAM AVR 传感器 可控硅 IGBT 嵌入式开发 逆变器 Quartus RS-232 Cyclone 电位器 电机控制 蓝牙 PLC PWM 汽车电子 转换器 电源管理 信号放大器 关闭
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