元器件：离子注入法制磁性半导体材料方法

　　离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法，将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入，将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入GaN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比，能够实现较高的离子掺杂浓度，因而可能制备出高居里温度的磁性半导体材料。

　　主权项

    权利要求书1、离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法，其特征是将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。