飞兆半导体推出7款MLP封装MicroFET产品

　　飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出7款全新MicroFET™产品，为面向30V 和20V以下低功耗应用业界最广泛的小外形尺寸器件系列增添新成员。这些MicroFET产品在单一器件中结合飞兆半导体先进的PowerTrench®和封装技术，比较传统的MOSFET在性能和空间方面带来更多优势。例如，它们采用2mm x 2mm x 0.8mm模塑无脚封装(MLP)，较之于低压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm SSOT-6封装MOSFET体积减小55% 及高度降低20%。相比SC-70封装的传统MOSFET，这些新产品更具有出色的功耗和传导损耗特性。全新MicroFET器件兼具紧凑封装和高性能特性，成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。

　　飞兆半导体通信产品市务总监Chris Winkler 表示：“飞兆半导体的MicroFET产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的MicroFET产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。”

　　在这些新MicroFET产品中，FDMA1023PZ、FDMA520PZ、FDMA530PZ 和 FDMA1025P分别具备不同的配置，集成了单及双P沟道PowerTrench MOSFET与ESD保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，FDMA1023PZ更可保证以低至1.5V的栅极电压 (VGS) 提供低额定导通阻抗RDS(ON)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。

　　另外三款产品集成了N或 P沟道MOSFET和肖特基二极管。当中，FDFMA2P029Z 和 FDFMA2P857集成了P沟道MOSFET和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (VF) 和反向泄漏电流 (IR)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件FDFMA2N028Z采用N沟道MOSFET和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。

　　这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越ICP/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。