DRAM厂减产 DRAM售价濒临变动成本
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过去几个月以来全球DRAM售价不断出现暴跌,虽说目前价格略微回稳,不过整体来说DRAM厂还是面临到严重亏损压力,DRAM厂坦承这样的售价几乎已是跌到DRAM厂采用12英寸厂90纳米工艺技术时所需的变动成本,估计其变动成本大约在1.1美元左右。也就是说再向下跌个0.2~0.3美元左右,所有DRAM厂宁可选择关闭晶圆厂,也不愿多做多赔。
目前除了部分DRAM厂必须加速降低生产成本,不断将工艺技术进一步推进到70纳米工艺,其余的国际DRAM大厂到则开始选择降低标准型DRAM的产出比重,比如海力士(Hynix)当前也已开始启动产能转换计划,也就是将原本用于投产标准型DRAM产能,进一步转换到NAND Flash产品。
另外如奇梦达也开始提高显示卡用存储器DRAM,最主要是看准2007年下半年Vist
a所带来的显卡存储器商机,再者奇梦达于一些特殊型DRAM上也不断拉高产能,目的同样是为了进一步有效调降标准型DRAM产出比重。
三星与海力士同样也开始转换产能至NAND Flash身上,亦看好接下来NAND Flash市场庞大商机;除了苹果的iPhone需要庞大NAND Flash产能外,一些消费性电子产品也需要愈来愈多NAND Flash因应,因而也开始调配产能增加NAND Flash投片量。
DRAM厂认为当前这些排名前几大DRAM厂开始转换产能,将有助于DRAM整体产业供需平稳,而依照DRAM厂的转换产能时间推估,这波转缓效应可在第三季度陆续浮现,也就是说到时DRAM售价也将有机会进一步止跌回升。
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