优化高电压应用的电源开关

　　如今，高电压小负荷被应用到多种领域。无论是启动器、电动机、螺线管或变压器、电源或电源转换电路，都在无休止地追求更好的能源效能、更佳的可靠性和更少的成本及封装体积。对于此类负荷范围的电源开关，这些技术上的要求似乎不外是“增强开关的功率密度！”，但在实际应用中如何才能够达到最佳效果呢？

　　在某种程度上，上述技术要求是自相矛盾的。例如，采用增加电源开关芯片体积的方法来增强效能，确实可以通过降低工作温度来减少传导损失及改进可靠性，但是这样做的代价却是成本及组件体积的增加。

　　为了达到增强开关功率密度的技术要求，我们必须考虑供电装置制造的方方面面，包括芯片和组件的设计与构造。当考虑高达500V的击穿电压应用时，以下三种潜在技术可供我们选择：BJT、MOSFET或IGBT。

IGBT

　　与常规技术相反，IGBT将双极性和MOSFET物理特性相结合，创造用于较大型组件的高效能高功率装置。问题是，额外发射极结增加至导通电压的正向电压，即使是在DPAK这样的组件中，导通电压仍然可超出1.8V，并且可能达到2.8V。热电阻值可降至低于1