飞兆半导体推出光隔离 MOSFET 栅极驱动器
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FOD3180/FOD3181与飞兆半导体领先业界的功率产品系列相辅相成，
为设计人员提供由毫瓦至千瓦的完整功率解决方案
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 领先业界的功率产品系列又添新成员，宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和FOD3181 (0.5A) 具有200ns (最 大) 的上升/下降时间，能够迅速开启/关断MOSFET以减小开关损耗。FOD3180具有高达2A的峰值输出电流，毋须额外的功率放大线路便可直接驱动宽范围的MOSFET。在太阳能逆变器、高性能不间断电源 (UPS)、DC/DC转换器，以及等离子平板显示器 (PDP) 等应用中，这些隔离MOSFET驱动器是提高系统效率和可靠性的最佳选择。它们还丰富了飞兆半导体提供的功率优化产品，为设计人员提供从毫瓦至千瓦的全面解决方案。
飞兆半导体光电产品战略市场经理John Constantino称：“FOD3180和FOD3181光隔离MOSFET栅极驱动器为飞兆半导体领先业界的功率产品系列提供了关键的‘隔离器件’，将低功耗逻辑产品与高功率分立MOSFET桥接起来。飞兆半导体的整体功率解决方案使设计人员能够利用我们通过全球功率资源中心 (Global Power ResourceTM) 提供的在线设计工具、设计中心、评估板以及其它技术，对其供应链进行精简化。”
FOD3180和FOD3181的其它可靠性功能包括： 5000V的额定隔离电压可以满足大多数安全认证标准；在电压达到使能状态时才导通的欠压闭锁功能，从而保护MOSFET；以及具有故障防护绝缘的共面结构。这些器件还具有较宽的工作电压 (最大20V)，而且其PMOS上拉晶体管和NMOS下拉晶体管提供17V的信号摆幅 (VCC - VEE)。
FOD3180和FOD3181备有8脚DIP封装形式，可满足包括260C回流焊功能的RoHS要求。这些无铅产品能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
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