英特尔推出增强版张力硅技术 性能提高30%

英特尔公司负责处理器架构和集成事务的主管马克表示，英特尔公司将在其0.065微米工艺中集成许多变化。它已经在用0.065微米工艺生产试验性的SRAM芯片。

根据芯片设计者的目标，用0.065微米工艺生产的芯片能够提高芯片的性能或降低能耗，或者能够同时实现这两个目标，但英特尔公司把重点放在了节能上。

与不使用张力硅技术的芯片相比，增强版张力硅能够使芯片的性能提高30%，并能将泄露电流降低4倍。马克说，通过使用张力硅技术，英特尔公司至少保持了一代的技术领先优势。采用增强版张力硅技术，能够增强驱动电流和减少电流泄露。张力硅技术也已经开始在IBM、AMD等公司的芯片中使用。

摩尔定律的核心是减小晶体管的体积和晶体管组件的数量。通常更小的晶体管速度更快，将能够生产出更小、更廉价、更好和更节能的芯片。在试验的SRAM芯片中，1000万个晶体管能够集成在原子笔尖大小的面积上。芯片产业按照摩尔定律发展了30多年，芯片的集成度已经大大提高了，这使芯片的设计和生产的难度进一步提高。

氧化物栅极是0.065微米工艺芯片中的另一个改进，在0.065微米工艺芯片中栅极的长度更短，这将能够提高晶体管的性能。通过保持厚度不变，电容将能够降低20%，从而减少了可能发生的电流泄露。

0.065微米工艺芯片中还将包含能够切断其它晶体管电源的睡眠晶体管。尽管马克对这些晶体管的节能效果无法准确地进行量化，但它可能有效地节省相当多的能耗和减少泄露电流。他说，这个技术具有显而易见的降低电流泄露的作用。

在英特尔公司的0.065微米工艺芯片中不包含绝缘硅（SOI）技术。一种名为“超薄SOI”的技术英特尔公司曾经做过试验，但它认为，“超薄SOI”的节能效果将由使用三栅极晶体管来完成。