用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限

　　一般地,EEPROM存储器(如93C46/56/66系列)的擦写次数为10万次,超过这一极限时,该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。

　　我们有一个单字节的数据要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法来做：

　　1、将93C56的00H单元定义为地址指针存放单元。

　　2、将要寻址的单元地址(假设为01H)放入93C56的00H地址中。

　　3、每次要对E2PROM中的数据进行读写时，先读取00H中的数据，并以读出的值为地址，访问其指向的单元。

　　4、在每次写完数据后，立即将数据再读出，并与写入的地址做比较。

　　A、如果相等，则代表本次写入数据成功。

　　B、如果不相等，则代表本次写入数据失败。这时，将00H中的值+1，让其指向后一个新的地址单元，再将数据写入新的地址单元。

　　93C56共有128个字节单元，按照以上方法，可将数据的擦写次数提升120多倍!达到1200多万次!

　　对于24C16/32/64系列的芯片，也可采用这种方法。

　　补充二点

　　1. EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊. EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中. 但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸, 所以说EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100年). 写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子,电子能量比较高,可能改变周围的晶格结构,导致浮栅俘获电子能力的下降,也就是表现为保存信息的时间变短, 所以才会有一个保守的写入次数限制(这里说保守是因为半导体的离散性大,实际的次数大得多). 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了, 而是说该单元保持信息的时间已不可信赖(而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年),所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用(坏了). 如匠人的方法检测, 写入时测试好好的, 可能几秒钟之后该单元的数就逃了.

　　2. 写坏一个单元是很费时间的, "这个方法，小匠使用过多次，证明是可行的。不知匠人在使用过程中是否碰到过有写坏的情况。