全球第二！SK海力士追上三星、量产20纳米DRAM

　　SK海力士终于赶上三星电子，成为全球第二家成功量产20奈米DRAM的厂商。该公司也力拼3D NAND Flash研发，期盼能在明年量产48层3D NAND。

　　BusinessKorea 15日报导，SK海力士人员受访表示，该公司引入20奈米DRAM制程，过程虽有困难，但已经稳定，开始寄送样品给客户、进入量产。据此而言，SK海力士是世界第二家量产20奈米DRAM的业者。三星首开先例，去年3月就量产20奈米DRAM。

　　SK海力士也宣布3D NAND研发计画，社长朴星昱(Park Sung-wook)表示，计画今年逐步发展36层3D NAND，明年全面量产48层3D NAND，和三星较劲的意味浓厚。三星电子8月10日宣布，第三代V-NAND已正式量产，以48层3-bit MLC堆叠。

　　据传该公司有意拓展系统半导体业务，Park说，这无法短时间内能办到，需要进一步提升能力，若不如此连并购都难以进行，将先发展内部实力，包括晶圆代工等，再来考虑下一步。

　　韩媒etnews 4月7日报导，据了解SK海力士的清州(Cheongju)M8厂提供系统半导体的晶圆代工服务，SK海力士正在调整该厂产线，增加晶圆生产种类。M8厂专门生产非记忆体晶片，目前主要制造CMOS238影像感测器(CIS)、电源管理IC、显示器驱动IC等。报导称，SK海力士招聘了大量非记忆体晶片人士，包括业界制程专家和晶圆代工研究者等，协助扩充相关的晶圆代工业务。

　　美光也力拼DRAM微缩制程，日经新闻10月12日报导，美光计划于今后1年内对日本广岛工厂豪砸1,000亿日圆资金，导入最新生产设备，量产全球最先端、采用16nm制程技术的DRAM产品，且目标为在2016年上半年确立16nm DRAM的量产技术。

　　韩媒BusinessKorea 4月13日报导，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程约占该公司DRAM生产的8%，预计今年下半改为2z DRAM(20奈米级)制程。业界消息称，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士总生产的82%。DRAMeXchange预估，SK海力士将在今年Q3进入2z制程，明年迈上轨道。

　　相较之下，30奈米制程仍占美光(Micron)产能的40%、南亚科(2408)的90%。目前2z奈米DRAM制程以三星电子领先，目前约占产出20%，预估今年内将拉升至50%。DRAMeXchange估计，三星DRAM生产中，25奈米生产占57%、20奈米占23%、35奈米占20%。