意法半导体（ST）的先进60V功率MOSFET为提高同步整流电路能效量身定制

　　意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的槽栅结构低压MOSFETs STripFET™ F7系列将新增60V的产品线，可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流-直流(DC/DC)电源转换器达到严格的能效标准要求，最大限度提升电源功率密度。

　　STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了晶体管的导通能效和开关性能，还简化了通道间的槽栅结构(trench-gate structure)，实现极低的导通电阻、电容和栅电荷量，并取得优异的品质因数(RDS(ON) x Qg)。此外，本征体二极管的恢复电荷(recovery charge)很低，有助于提高开关性能。高雪崩耐量确保在恶劣条件下保持性能稳健，反向传输电容对输入电容(Crss/Ciss)的比值低，有助于强化抗电磁干扰(EMI immunity)。

　　意法半导体的60V STripFET F7 MOSFET是为同步整流(synchronous rectification)电路定制，能够以更少的并联器件达到最大目标电流，以此提高功率密度、降低元器件使用数量。该系列共有12款产品，覆盖了所有工业标准电源，最大输出电流从90A到260A(在Tc=25°C下，硅限制连续漏极电流)。新产品提供多个封装选择，包括PowerFLAT™ 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、双引脚或六引脚H2PAK。

　　所有产品均已量产(包括采用PowerFLAT 5x6封装的90A STL90N6F7)，欲了解更多详情，请浏览：www.st.com/stripfetf7