英特尔、三星服务器DRAM市场再掀激战

　　全球半导体龙头英特尔(Intel)推出3D XPoint技术，睽违31年再度挥军DRAM市场。英特尔并非着手制造DRAM，而是以结合DRAM和NAND Flash的次世代记忆体，攻略服务器用DRAM市场。

　　而三星电子(Samsung Electronics)自DDR4之后，加速研发新DRAM，特别关注英特尔的举动。全球半导体市场前两名企业的技术竞争，吸引业界目光。

　　据ET News报导，英特尔在开发者大会IDF 2015公开了部分采3D XPoint的产品策略，然并未发表详细的产品规格或上市日程。英特尔预告除固态硬碟(SSD)外，也将推出服务器用双列直插式记忆体模组(DIMM)，对NAND Flash和DRAM市场都将带来影响。

　　3D XPoint为全新非挥发性记忆体，英特尔称其为1989年推出NAND Flash以来的第一个新记忆体类别。3D XPoint结构与3D NAND技术近似，但不像NAND Flash将资讯储存在元件，而是储存在架构中字组线和位元线的交叉点上，系统得以单独存取每个储存单元。

　　英特尔资料中心事业群总经理Diane Bryant强调，采3D XPoint的服务器DIMM将成为首度在主要记忆体上采用非挥发性记忆体的案例。这将带动服务器用记忆体的变化。

　　SSD将取代部分服务器DRAM，英特尔和DRAM制造厂三星、SK海力士(SK Hynix)等将掀地盘保卫战。虽然无法取代整体服务器DRAM，但英特尔计划改变现有服务器设计，并将可替代的领域拓展到最大。

　　英特尔发表了与美光(Micron)共同研发的次世代记忆体技术3D XPoint后，在IDF 2015中公开表示正在研发采用该技术的服务器用DIMM和SSD。英特尔采用3D XPoint技术的新SSD品牌为Optane，较传统NAND Flash的资讯接收速度快1,000倍，耐久性也提升1,000倍。

　　英特尔示范比较了SSD DC P3700系列和Optane SSD概念产品的性能，当DC P3700系列的IOPS(Input/Output Operations Per Second)为3.49万时，Optane概念产品的IOPS为46.18万，说明Optane的资讯处理量多了5~7倍。

　　英特尔也计划推出基于3D XPoint的服务器DIMM模组，主要用在讲究资讯处理功能的资讯中心服务器或工作站。英特尔发表正在研发服务器用DIMM的消息后，意味着也将为DRAM市场带来变化。三星和SK海力士都相当关注英特尔后续的动作。

　　在DRAM市场上分居第一、二名的三星和SK海力士，继DDR4之后，加速研发次世代DRAM。

　　将最先登场的记忆体将会是图形芯片和高性能电脑(HPC)用DRAM，高频宽记忆体(HBM)。该产品采直通矽穿孔技术(TSV)，三星和SK海力士都有少量生产，自2016年初将正式投入量产。

　　三星记忆体事业部首席工程师尹河龙(音译)表示，2016年初正式量产HBM，2017年朝网路领域拓展市场等，将发掘新市场。