三星新快闪存储器技术 提升手机储存容量

　　三星宣布将以旗下第三代V-NAND技术打造容量更大、体积更小的256-gigabit (32GB)3D快闪记忆体模组，藉此让手机储存元件、PC用SSD容量可大幅提升。同时，藉由新技术投入将可提升约40%产能，并且将能以此提供价格更具实惠的快闪记忆体模组，预计最快在今年下半年间至明年初即可应用在实际市售产品。

　　根据三星公布消息，确定将在今年下半年内投入第三代V-NAND技术，藉此打造容量更大、体积更小的256-gigabit (32GB)3D快闪记忆体模组，进而提升手机储存元件与PC用SSD相同体积的资料存放容量，其中后者将能加速全面迈入TB等级规格，同时于预期手机基本储存容量也能进一步提升。

　　以新技术打造的48层、3-bit MLC 256Gb V-NAND快闪记忆体，将可在储存相同资料量时节省约30%耗电，同时相比先前32层、3-bit MLC 128Gb V-NAND快闪记忆体规格，约可提升40%产能表现，预期将可进一步降低快闪记忆体市场售价，并且让SSD产品价格更趋于亲民化，预期也将可让入门款智慧手机储存容量扩大。