联华电子TSV技术进入量产阶段，驱动AMD Radeon R9 Fury X GPU绝佳效能

　　联华电子今(20)日宣布，用于AMD旗舰级绘图卡Radeon™ R9 Fury X的联华电子硅穿孔 (TSV) 技术，已经进入量产阶段，此产品属于AMD近期上市的Radeon™ R 300 绘图卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了联华电子TSV 製程以及晶粒堆叠技术，在硅中介层上融合

　　连结 AMD提供的HBM DRAM高频宽记忆体及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超强记忆体频宽，及远超出现今GDDR5业界标准达4倍的每瓦性能表现。

　　联华电子市场行销副总暨TSV技术委员会共同主席简山杰表示：「AMD 致力于将顶尖GPU产品带入市场，具有丰富的成功经验。这次量产里程碑彰显了我们与AMD在TSV技术上紧密合作下的成果，我们很荣幸能运用此技术的性能优势，协助AMD强化其新一代GPU产品。展望未来，联华电子期盼与 AMD继续携手，延续这份成果丰硕的伙伴关系。」

　　AMD资深院士(senior fellow)　Bryan Black 表示：「从开始研发以至量产阶段，联华电子皆採用创新技术打造客户产品，这是AMD选择联华电子合作硅中介层及相关 TSV 技术的关键因素。联华电子此次顺利将 TSV技术运用在AMD最新的高效能GPU上，再次证明了其坚实的专业能力。本公司很荣幸能拥有联华电子作为我们的供应链伙伴，协助我们推出全新Radeon 系列产品。」

　　AMD提供的GPU与HBM堆叠晶粒，皆置放于联华电子TSV製程的中介层上，透过CMOS线路重佈层(redistribution layer)与先进的微凸块(micro-bumping)技术，这些晶片之间可于中介层彼此连通，因此得以实现AMD Radeon™ R9 Fury X绝佳的效能与位面积。AMD的TSV硅中介层技术系于联华电子位于新加坡的12吋特殊技术晶圆厂Fab 12i製造生产。