集成电路：产业整合加快 企业实力倍增

　　2014年，全球集成电路产业开始步入平稳发展阶段，产业结构调整步伐加速，IC设计业与晶圆代工业呈现异军突起之势。展望2015年，我国集成电路产业规模将持续增大，产业结构日趋合理;技术水平持续提升，与国际差距逐步缩小;国内企业实力倍增，有望洗牌全球格局;政策环境日趋向好，基金引领投资热潮。

　　全球市场规模扩大

　　中国产业规模快速增长

　　根据全球半导体贸易协会统计(WSTS)，2014年全球半导体市场规模达到3331亿美元，同比增长9%，为近4年增速之最。伴随着行业集中度越来越高，行业发展也逐步结束过去高增长和周期性波动的发展局面，开始步入平稳发展阶段。

　　从产业链结构看，制造业、IC设计业、封装和测试业分别占全球半导体产业整体营业收入的50%、27%和23%。从产品结构看，模拟芯片、处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片2014年的销售额分别为442.1亿美元、622.1亿美元、859.3亿美元和786.1亿美元，分别占全球集成电路市场份额的16.1%、22.6%、32.6%和28.6%。

　　据中国半导体行业协会统计，2014年我国集成电路产业销售收入达3015.4亿元，同比增长20.2%，增速较2013年提高4个百分点。产业规模继续保持快速增长，各季度增速呈现前缓后高的态势。

　　从产业链结构看，2014年我国集成电路产业链各环节均呈现增长态势。其中，设计业增速最快，销售额为1047.4亿元，同比增长29.5%;芯片制造业销售额为712.1亿元，同比增长18.5%;封装测试业销售额为1255.9亿元，同比增长14.3%。IC设计业的快速发展导致国内芯片代工与封装测试产能普遍吃紧。从市场结构看，通信和消费电子是我国集成电路最主要的应用市场，二者合计共占整体市场的48.9%，其中网络通信领域依然是2014年引领中国集成电路市场增长的主要动力。全球计算机产销量的下滑直接导致中国计算机领域集成电路市场的增速放缓，2014年计算机类集成电路市场份额进一步下滑，同比下滑达13.28%。

　　14nm工艺芯片正式进入市场

　　3D-NAND存储技术走向商用

　　2014年，集成电路产业重要创新的三大进展如下：一是14nm FinFET工艺芯片正式进入市场。14nm工艺节点被业界普遍视为集成电路制造的工艺拐点。在实现14nm工艺的技术进程中，目前主要包括两条技术路线。一种是由英特尔公司在22nm制程中就开始采用的FinFET结构三栅晶体管技术，另一种是由IBM和意法半导体等公司在22nm制程节点中采用的FD-SOI全耗尽技术。

　　二是3D-NAND存储技术走向商用。2014年10月，三星公司宣布开始量产用于固态硬盘(SSD)的3bit MLC 3D V-NAND闪存。3D V-NAND技术的优势在于不仅可以提升芯片的存储密度和写入速度，还可以降低芯片的功耗。截至2014年12月，全球已经有4家存储器生产企业推出自己的3D-NAND发展路线图。总体来看，该技术有望在2016年全面走向市场，并替代传统NAND闪存。

　　三是可穿戴市场推动无线充电技术走向成熟。移动智能终端用户对于电池续航能力的要求不断提升，促使芯片设计企业开始布局新的电源供应技术，其中无线充电技术已经成为业界“抢攻”的重点。截至2014年年底，已有包括博通、艾迪特(IDT)、德州仪器(TI)、联发科、安森美等在内的多家芯片厂商积极瞄准可穿戴式设备市场推出无线充电解决方案，并针对周边的电源管理平台发展策略做出相应变革。

　　2014年，集成电路产业在以下三个方面值得引起重视：一是国际芯片巨头“军备竞赛”日益激烈，我国芯片制造业面临国际压力愈发增强;二是核心知识产权的缺失，使得4G设备在加速替代过程中仍将面临专利的隐患;三是国家集成电路产业投资基金的实施将面临投资主体选择、海外并购标的甄别等几方面的挑战。