2015年第一季全球DRAM总产值衰退7.5%

　　TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，第一季动态随机存取记忆体(DRAM)合约均价较上季跌幅达11%，加上笔记型电脑市场与智慧型手机步入传统淡季，因此全球DRAM产业第一季总产值衰退达7.5%，营收来到120亿美元。

　　DRAMeXchange研究协理郭祚荣表示，受到淡季影响，今年第一季各DRAM厂都呈现营收衰退的走势，但在制程持续转进下，毛利并未大幅缩减，整体表现与第四季相比相差不远。然而需求面不佳将会影响后续价格走势，因此DRAM厂在制程转进与产品比重分配，将今年值得注意的决胜点。DRAMeXchange预估2015年DRAM产值预计来到512亿美元规模，年成长近12%。

　　三星半导体(Samsung)与SK海力士(SK Hynix)第一季自有品牌记忆体市占率各为43%与27%，韩系厂商合计市占稳占全球市场七成;而美系厂商亦掌握将近22.5%，较上季小幅下滑。除非有新竞争者加入，如中国积极发展自有半导体产业，寡占结构下短期市占比例将不易改变。

　　从技术面观察，三星甫进入20奈米(nm)制程良率即表现稳健，预计年末产出量将逼近60%，仍是DRAM厂中的技术领先者。SK海力士在25nm制程加持下，营收虽然受到价格下滑而减少，但制程转进所带来成本降低，依然让SK海力士有稳健的获利。至于美光集团(Micron)则因为不少产出比重还在30nm制程下，20nm制程转进也不如预期，本季营收大幅下滑13%。美光如不加速转进20nm，价格的下跌将会侵蚀更高比重的获利。

　　台系厂商部分，南亚科(Nanya)目前在30nm微缩制程转进速度顺利下，预计产出年末将超过50%，成本下降同时预计获利也会持稳，20nm制程预计明年才有机会导入量产行列。力晶(PSC)受到标准型记忆体价格下滑影响，营收衰退7.9%，但25nm制程已进入试产阶段，最快年末可以导入量产。华邦(Winbond)由于无标准型记忆体产品产出，多以利基型记忆体与行动式记忆体为主，加上整体投片量来到44K满载，营收仅小幅衰退1.3%。(图1)

　　图1 2015年第一季全球DRAM厂自有品牌记忆体营收排名。(单位：百万美元)

　　图2 2015年第一季各区域品牌记忆体营收市占率。