SK海力士今年成长三大核心　20纳米、M14新厂、3D NAND

　　面对竞争激烈的半导体市场，SK海力士(SK Hynix)为了维持存储器事业持续成长，2015年将面临三大课题：成功量产22纳米DRAM、建构利川M14新厂的量产系统，以及强化三阶储存单元(Triple-Level Cell;TLC)与3D V-NAND竞争力。

　　根据韩媒E-Daily报导，SK海力士社长朴星昱日前在京畿道利川总部举行的定期股东大会上表示，2015年下半初期将开始量产22纳米DRAM，意即最快在7月SK海力士就会开始量产22纳米DRAM。

　　SK海力士近2年业绩屡创新高，主力产品DRAM销售长红居功厥伟。

　　然而基于半导体事业特性，DRAM市场春天难以长久维持，且与竞争业者间的技术竞争也愈发激烈，让公司内部危机感高涨。22纳米DRAM能否研发成功并快速量产，将是SK海力士维持竞争力并持续成长的关键。

　　朴星昱表示，存储器市场因技术难度增高，制程转换与确保生产效能的难度也跟着提升，反观客户端对于产品质量的供应稳定性却更为要求。身为存储器业者，基础竞争力愈来愈重要。也因此，量产22纳米DRAM，成为克服SK海力士目前难题的核心关键。22纳米DRAM若成功量产，将可一口气提升竞争力与收益性，也可缩短跟三星电子(Samsung Electronics)之间的微细制程差距。

　　另一方面，透过利川M14新厂打造业界最高水准的量产系统，并强化TLC与3D垂直构造等NAND元件竞争力，也是SK海力士2015年的两大主要课题。

　　总投资金额达2.1兆韩元的M14厂，是用来取代老旧DRAM厂的核心基础设施。SK海力士计划借由M14厂建构业界最高水准的量产系统，将8吋(200mm)晶圆生产设备改造为12吋(300mm)晶圆用设备，可望克服产能低落的问题。预定在2015年上半完工，自下半年开始稼动。

　　此外，SK海力士存储器事业80%集中在DRAM领域，因此NAND事业若能依预期成长，将有助于SK海力士事业的多元化发展。业界预测SK海力士将在第2季推出TLC NAND，第3季推出3D NAND产品。朴星昱表示2015年将透过强化TLC与3D等NAND元件竞争力，以及补强解决方案实力等策略，确实地在市场上站稳脚步。