SK海力士冲刺先进制程，20nm级DRAM最快七月量产

　　SK 海力士 20日举行股东会，社长朴星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米级DRAM最快可能在今年7月迈入量产，将可在高阶产品赶上三星与美光等竞争者。

　　海力士目前最先进的制程为25与29奈米，而三星已在去年第四季抢先迈入20奈米制程领域，且预估今年下半年，半数PC用记忆体都会以20奈米制程打造。

　　据科技网站kitguru.net报导，20奈米制程在300mm 晶圆上塞进的晶粒数量较25奈米多三成，可降低每单位IC生产成本，并提高利润空间。随着8GB DDR4记忆体时代来临，20奈米制程被认为是记忆体厂决胜的关键。

　　除了 ​​三星之外，美光去年第四季也已开始试生产 20奈米记忆体，预计今年进入量产，但初期产量将相当有限，预估2015年底，每月会有8万片晶圆转进20奈米制程。