FRAM存储“多、快、省”

　　近日，富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇介绍了FRAM(铁电存储器)产品在应用中的独特优势。拥有15年FRAM量产经验的富士通半导体，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特点。“多”指的是FRAM的高读写耐久性(1万亿次)的特点，可以频繁记录操作历史和系统状态;“快”指的是FRAM的高速烧写(是EEPROM的40000倍)特性，这可以帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题;“省”是FRAM超低功耗(是EEPROM的1/1,000)特性，特别是写入时无需升压。

　　因此，采用串行接口的FRAM可以替代EEPROM或串行闪存，而采用并行接口的FRAM产品可以代替低功耗SRAM或PSRAM (Pseudo SRAM)。在封装方面，目前FRAM基本可以直接替换EEPROM，FRAM的封装和EEPROM的封装是完全兼容的。

　　由于掌握着从FRAM的研发、设计到量产及封装的整个流程，加上多年的经验，富士通半导体因而能保证FRAM产品的品质和稳定供货，并且产品线相当宽泛，容量从4Kb到4Mb，涵盖SPI和I2C串行接口、并行接口。现在该公司已经在着手研发8Mb、16Mb的产品。

　　另悉，富士通半导体的FRAM最开始是以日本国内应用为主，后来逐渐拓展至医疗、智能仪表、工业自动化设备等多元化应用领域。现在，该公司的FRAM主要包括三大类(单体FRAM、RFID和内嵌FRAM的认证芯片)，在很多领域实现了批量应用。