ISSCC 2015的十大见闻

　　今年的国际固态电路会议(ISSCC)再次见证了一系列的芯片创新。尽管成本上升和追逐摩尔定律的复杂性，在这个芯片设计者的年度盛会上，工程师们设计出更小、更快、更丰富的器件，为一个新而陌生的超低功耗设计世界的呈现了一些别有风味的“小菜”。

　　对于3D芯片堆叠的讨论

　　ISSCC会议上回荡着一群设计者对于试图从更多的日益复杂和昂贵的工艺节点中挤出更多的抱怨声。“我们应该继续扩展到7nm和5nm，但我们需要从这些节点获得更多，”高通技术副总裁Geoffrey Yeap在对摩尔定律的讨论会上表示。

　　Liam Madden在恢复他帮助Xilinx所建立的2.5 D芯片堆叠，最近将使用20 nm工艺集成190亿个晶体管(包括10个ARM Cortex-A9核)。在新的工艺节点添加了两个新的金属层，“RC延迟正在抹杀你芯片中的路径”他说。

　　ITRS半导体的Paolo Gargini表示：今天的芯片堆叠技术就像2007年高电介质金属栅极设计一样，是工艺的下一个大热门。

　　来自Intel的Mark Bohr却不同意这种观点，他表示：“我们需要的垂直互联要比今天的硅通孔密度大一个或两个数量级。”

　　Liam Madde同意但表示对TSV密度有信心：“将要在未来两年或三年增加一个数量级，但是想再超越，就是比较棘手了。”

　　即使有来自工艺的烦恼，工程师们还是表现出了许多硅创新。

　　微型传感器，太阳核心

　　来自博世的Chinwuba Ezkewe(见下图)展示了一个2.5 mm×3 mm的3轴陀螺仪传感器，其精度足以用于导航，但在1.71 V~3.6 V电压下只消耗0.85 mA。

　　下图是密歇根大学的研究人员展示了一个ARM Cortex-M0 +，其消耗0.09 mm2 太阳能电池产生400 μW的功率，这受益于他设计的新型电路抑制了漏电。

　　模块化智能手机

　　日本Keio大学的Atsutake Kosuge(下图) 开发了一个6 Gb/s非接触式接口面向连接的模块化手机，这种手机是谷歌开发作为其Ara项目的一部分。他的宽带方法允许基带编码达到MIPI数据速率，但还并未向谷歌工程师透露。

　　智能手机在4K中的呐喊

　　联发科的林锡安(下图)协助设计了公司所展示的能播放4K视频的HEVC编码器模块。基于28 nm工艺，该模块占用面积仅为2.16 mm2。

　　下面，夏普的工程师展示了带有并行接口的240 Hz电容式触摸屏，其在平板上的速度表现与智能电视一样快。该芯片的当前版本是基于一个直接连接到主机处理器的模拟前端(AFE)，去除了在上一代中的一个数字芯片。