三星称5nm工艺芯片制造完全没有问题

　　就在昨天的 ISSCC(International Solid State Circuit Conference)国际固态电路会议上，三星的举动令业界感 到惊讶，全球首次展示了 10nm FinFET 半导体制程。当时业内人士纷纷表示，三星有望抢在英特尔之前造出全球第一款 10nm 工艺用于移动平台的处理器。

　　实 际上，作为韩国高科技巨头，三星在半导体制造方面已经非常超前，目前仅有三星一家可以正式大规模量产 14nm FinFET 工艺的移动设备芯片，而此前在工艺方面极有优势的英特尔却一推再推。虽然在芯片领域，三星在业务方面尚未上升到高通或者英特尔的高度，但三星的芯片发展可 谓神速，迎来的是对统治级竞争对手的直接挑战。

　　不过，如果你认为三星首秀 10nm FinFET 工艺制程已经够惊艳全场的话，那么三星在 ISSCC 会议上的主题演讲可能更令人意外。

　　三星：5nm 芯片对我们而言完全没有问题

　　据三星的发言，该公司还将继续推进至 5nm 工艺制程，因为他们认为“根本没有困难”，而且进一步微细化也有可能很快实现。

　　该 韩国巨头甚至表示，他们已经确认开始 3.2nm FinFET 工艺的工作，通过所谓的 EUV 远紫外光刻技术和四次图形曝光技术和独家相关途径，可以实现工艺更细微化。基本上三星的演讲内容非常令人费解，完全没有真正表述究竟使用何种新材料制造这 些更小纳米工艺的芯片。英特尔已经表示 10nm 之后的半导体制造会更复杂，再发展下去硅原子的物理极限很难突破，不排除三星的新材料解决方案是砷化銦鎵(Indium Gallium Arsenide,InGaAs)。

　　让我们回到 10nm 工艺，三星称下一代芯片尺寸将更微小，功耗更低。未来此工艺也将运用到 DRAM 和 3D V-NAND 芯片上，三星不会放弃任何在移动领域做储存霸主的机会。三星表示，在 2016 或 2017 年之前暂时不会有 10nm 工艺。也就是说，首款采用 14nm 芯片的智能手机 Galaxy S6，在先进工艺方面的优势可能会维持两年。

　　当然，我们不排除下下一代旗舰智能手机，也就是 Galaxy S7，三星又惊人的为其搭载 10nm 工艺的处理器。