台积电三星 明年强攻3D IC封装

　　资策会MIC表示，明年包括美光、三星、海力士及台积电等半导体大厂，持续精进推出3D IC封装技术。

　　资策会产业情报研究所(MIC)指出，全球首颗3D IC异质整合晶片HMC(Hybrid Memory Cube)，将在明年正式量产，由记忆体大厂美光(Micron)和三星(Samsung)为首的混合记忆体立方联盟(HMCC)推出。

　　资策会MIC表示，混合记忆体立方HMC，以3D IC技术堆叠多层动态随机存取记忆体(DRAM)和一层逻辑晶片，属于异质整合晶片。

　　另一方面，资策会MIC指出，记忆体大厂海力士(Hynix)明年也将推出高频宽记忆体HBM(HighBandwidth Memory)，以3D IC技术堆叠四层DRAM，属于同质整合晶片。

　　台积电明年在3D IC领域，也可望明显进展。资策会MIC表示，台积电明年推出最新的InFO(IntegratedFan Out)封装技术，成本将低于目前2.5D IC层级的CoWoS技术。

　　MIC指出，台积电InFO封装技术，可因应物联网及穿戴式装置所需晶片轻薄短小趋势。