台积电采购EUV 2018年或迈入7纳米时代
编者按：按照现在量产产品工艺进展的速度，几乎可以预见的是，2018年上7纳米的愿望很美好，但是实际情况却困难重重，几乎是不太可能的事，即便在技术上能实现，在商业上来看也不能算是理性的选择。
欧洲半导体设备大厂ASML透露，晶圆代工大厂台积电(TSMC)计划在2015年采购两套超紫外光(EUV)扫描机，或将探底至7纳米的工艺技术节点。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/266782.htm根据ASML资深副总裁FritsvanHout的描述，台积电采购的EUV扫描机是针对10纳米工艺应用。他预期，台积电可能最快在2018年以采购ASML的EUV扫描机展开7纳米工艺芯片量产。
在11月24日举行的伦敦法说会上，ASML宣布接获台积电2台NXE：3350BEUV系统订单，预计于2015年出货，用于量产。ASML表示，业界可能会开始倾向于支持EUV技术。
台积电在2012年8月便曾表示，同意投资ASML约85.4亿元，以确保取得最新的量产技术知识。此次采用EUV设备，台积电可能成为下一代半导体微影主流技术的第一波推动者。
台积电共同执行长刘德音说，他希望该套设备能在2015年年底准备好试产，并在2016年正式生产。
ASML估计逻辑电路会最早使用EUV工艺，将在2016年的10纳米节点上实现量产，NAND闪存会在2019开始启用EUV工艺，DRAM及MPU产品则会在2018年进入EUV时代。如果一切顺利，ASML预计2020年前会出货50台~60台EUV设备，营收达到120亿美元。
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