锁定巨量数据应用 三星加快量产DDR4、TLC SSD

　　三星电子(Samsung Electronics)为迎接巨量资料(Big Data)时代的来临，将以资料储存半导体事业一决胜负，目标拟以DDR4 DRAM和3D V-NAND为基础的固态硬碟(SSD)列为核心产品。

　　据韩国Inews 24报导，总括负责三星半导体事业部的DS部门将扩编人力，在集团底下成立巨量资料中心，并依照产品分析消费者的喜好程度等，强化事业力量。

　　DDR4 DRAM相较于DDR3，待机电流减少30%、耗电量减少35%，是能源使用效率高的产品。资料传输速度也较DDR3快2倍以上，可大幅提升资料传输量，作为次世代服务器DRAM解决方案。

　　报导引用市调机构IHS资料指出，2015年DDR4市占率将较2014年成长5倍以上，达10.3%，至2016年将以25.8%超越DDR3的23.3%。

　　三星于2013年8月投入信息中心资料库(Enterprise Server)专用高速20纳米级DDR4模组量产作业，10月也成功领先全球量产20纳米8Gb DDR4服务器用DRAM。三星计划通过最快2014年底完工的华城17产线供应DRAM，以12寸晶圆计算，每月可生产4万~6万片。

　　三星2014年第3季的DRAM市占率季增18.4个百分点，达41.7%，营收50.19亿美元，在DRAM领域位居全球第一。

　　三星2015年将量产以3-bit V-NAND为基础的SSD，最快2015年第1季将通过大陆西安半导体厂开始供应SSD。3-bit V NAND是采用TLC技术的高性能NAND Flash，将传统呈现平面的半导体Cell传质堆迭，扩大可储存的信息容量。1个Cell可储存的信息量较SLC多8倍，同时达到成本缩减30%以上的效果。

　　近来在半导体市场上，SSD价格持续滑落，三星计划以具性能和价格竞争力的TLC SSD创造获利。IHS资料指出，256GB SSD平均销售价格(ASP)在2014年第3季为124美元，较2013年同期的171美元下滑27.5%。

　　三星内部人员表示，三星2015年将推出搭载3-bit V-NAND的服务器用SSD及一般消费等级SSD系列产品，无论在价格竞争力和性能方面，都较竞争对手更具优势。