基于FLASH介质嵌入式存储方案的设计与实现

　　引言

　　FLASH(闪速存储器)作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其他存储介质有较大区别，使用FLASH时必须根据其自身特性，对存储系统进行特殊设计，以保证系统的性能达到最优。

　　FLASH的特点

　　FLASH是一种非易失性存储器NVM(Non-VolatileMemory)，根据结构的不同可以将其分成NORFLASH和NANDFLASH两种。但不管哪一种都具有如下特点：

　　(1)区块结构

　　FLASH在物理结构上分成若干个区块，区块之间相互独立。比如NORFLASH把整个Memory分成若干个Sector，而NANDFLASH把整个Memory分成若干个Block;

　　(2)先擦后写

　　由于FLASH的写操作只能将数据位从1写成0，不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦操作，将预写入的数据位初始化为1。擦操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。

　　(3)操作指令

　　除了NORFLASH的读，FLASH的其它操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操作。比如执行一次写操作，它必须输入一串特殊的指令(NORFLASH)，或者完成一段时序(NAND FLASH)才能将数据写入到FLASH中。

　　(4)位反转

　　由于FLASH固有的电器特性，在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误。这就是位反转。位反转无法避免，只能通过其他手段对结果进行事后处理。

　　(5)坏块

　　FLASH在使用过程中，可能导致某些区块的损坏。区块一旦损坏，将无法进行修复。如果对已损坏的区块进行操作，可能会带来不可预测的错误。尤其是NAND FLASH在出厂时就可能存在这样的坏块(已经被标识出)。

　　关键设计

　　FLASH通用设计

　　对于一个嵌入式系统，设备的兼容性越好，系统可行性就越好，产品也就越有竞争力。所以，为了兼容不同类型的FLASH设备，对FLASH进行通用设计至关重要。

　　对于NORFLASH，数据的读操作可以通过独立的数据总线和地址总线快速完成，然而NOR FLASH的其他操作需要通过特殊的指令来完成，更糟糕的是不同厂商生产的芯片这些指令互不相同。这就导致了设备的不兼容。

　　对于NAND FLASH，也存在这样的问题。NAND FLASH可以根据相同的指令读取芯片的厂商号和设备号，从而通过识别设备号调用对应的时序流程实现操作。但是，系统中太多的判断，会使得程序的结构变得非常复杂。所以，在一定的条件下，NAND FLASH设备还是不兼容的。

　　为了解决这一问题，一个较好的方法是将FLASH的各个操作指令以及结构特性按照统一的格式存放到FLASH中固定位置。系统初始化时，将这个结构读入系统，通过分析这个结构，可以获得关于芯片所有相关信息，包括操作指令，区块分布等等。这样，系统可以轻松实现对不同型号FLASH的所有操作，极大地提高了设备的扩展性。

　　双模式文件系统设计

　　嵌入式系统中文件数据的存放一般有两种结构，一种是索引格式的线性结构，一种是非线性的链表式结构。这两种结构各有优缺点。比如对于系统配置、点阵字库等一些具有固定结构的系统数据，索引结构比链表式结构更有效率。但对于经常更新的用户数据，链表式结构要比索引结构更灵活。如果系统能将两种结构集成，势必能将性能发挥到最优。

　　实现这种集成的方法是将设备定义成若干个分区，每个分区相互独立，不同分区可以使用不同的文件模式。这样，不同类型的数据就可以根据自己的属性选择存放的分区。比如系统数据存放在使用索引线性结构的分区，用户数据存放在使用链式非线性结构的分区。

　　坏块处理

　　FLASH中的坏块处理是一件很棘手的问题，如果没有有效的管理，对系统的稳定性会造成严重影响。一个可行的解决方法是生成一张坏块表，坏块表中记录所有坏块的块号，并且按块号从小到大排序，坏块表在读写过程中动态更新。当读写数据时，遍历坏块表中的块号，将文件的逻辑地址转换成对应FLASH物理地址，以保证所用的FLASH地址空间不存在坏块。