海思量产，台积16纳米超前三星英特尔

　　台积电最近助海思半导体成功产出全球首颗以16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)的安谋(ARM)架构网通处理器，设备厂透露，这项成就宣告台积电16纳米在面临三星及英特尔进逼下，已取得压倒性胜利。

　　此外，台积电也正式向英特尔宣战，目标是二年内在10纳米晶体管技术追平英特尔，届时在芯片闸密度及金属层连结等二要项都超越英特尔，将让台积电称冠全球，并奠定全球晶圆代工不可撼动的地位。

　　台积电的这项成就，是昨天出席台积电高雄气爆感恩与祝福餐会的半导体设备厂所透露，针对台积电宣布全球首颗16纳米产品完成产品设计(tape-out)后，点出台积电在16纳米FinFET的重要成果。

　　不愿具名的设备商指出，台积电为海思成功产出的全球首颗以16纳米生产、功能完备的网通处理器，等于宣告海思具备可以提供自家集团华为的核心处理器。

　　华为目前是向英特尔采购以22纳米制程的网通处理器，台积电与海思的合作，也代表中国大陆已具备自主生产高阶网通处理器的地位，对英特尔带来一定程度的威胁。

　　对台积电而言，台积电也用实例，向英特尔证明台积电16纳米FinFET制程，并未如先前英特尔唱衰在芯片闸密度比英特尔还低30%，台积电不但在20纳米就已超越英特尔，16纳米FinFET更大幅领先。

　　此外，面对三星先前一直强调16纳米FinFET远远领先台积电，台积电率先提出产出成功案例，回击三星的口水战，等于左打英特尔，右踢三星，台积电有信心在16纳米FinFET会取得压倒性胜利。

　　半导体人士强调，半导体评断技术实力，看的是晶体管效能、芯片金属层连结及芯片闸密度，后二者台积电都已超越英特尔，一旦台积电二年内在晶体管效能追平英特尔，台积电将可正式跃居全球半导体新霸主地位，为台湾缔造新的历史地位。