赛普拉斯的异步SRAM产品系列又添新丁具有片上错误校正代码的低功耗MoBL器件横空出世

　　静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码(ECC)的16Mb低功耗异步SRAM 已开始出样。全新MoBL® (More Battery Life™，更久电池续航) SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水准的数据可靠性，而无需另外的错误校正芯片，从而简化设计并节省电路板空间。该MoBL器件可延长工业、军事、通讯、数据处理、医疗和消费电子等应用领域里手持设备的电池续航时间。

　　背景辐射造成的软错误可损坏存储内容，丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有错误校正动作，无需用户干预，因而具有业界最佳的软错误率(SER)性能，错误率仅有0.1 FIT/Mb(1个FIT相当于器件每工作十亿小时发生一个错误)。这些新器件与现有的异步低功耗SRAM管脚兼容，客户不必更改电路板设计即可提高系统可靠性。16Mb MoBL 异步SRAM还具有可选的错误指示信号，可指示单位(Single-Bit)错误的发生和校正。

　　赛普拉斯异步SRAM事业部高级总监Sunil Thamaran说：“自从我们去年推出带ECC的快速SRAM以来，客户反响非常强烈。在这一系列中增加MoBL器件，可使更多的应用受益于我们的片上ECC技术。赛普拉斯致力于不断开发SRAM新技术，更好地为客户服务，巩固我们毫无争议的市场领导地位。”

　　赛普拉斯的16Mb MoBL异步SRAM具有业界标准的x8, x16 和 x32配置。器件具有多种工作电压(1.8V， 3V和5V)，工作温度范围为-40◦C 至 +85◦C(工业级)和-40◦C 至 +125◦C(汽车级)。

　　供货情况

　　这些全新SRAM目前已有工业温度范围的样片，预计2014年11月份量产。这些器件以符合RoHS标准的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA方式封装。