高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南

摘要

本文将展示一个用来设计高速开关应用所需的高性能栅极驱动电路的系统性方案。它综合了各方面的信息，可一次性解决一些最常见的设计问题。因此，各个层面的电力电子工程师都值得一读。

文中分析了一些最流行的电路方案及其性能，包括寄生元件、瞬间和极端工作条件的影响。首先，文章对MOSFET技术和开关操作进行了大致讨论，从简单问题逐渐转向复杂问题，并详细讲述了低端和高端栅极驱动电路以及交流耦合和变压器隔离式方案的设计程序。另外，文章还专门用一个章节的内容来讨论同步整流器应用中MOSFET的栅极驱动要求。

最后，本文还提供了多个分步骤的设计案例。

简介

MOSFET，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是电子产品领域各种高频高效开关应用的关键元器件。FET技术发明于1930年，比双极晶体管还要早大约20年，这一点令人感到意外。最早的信号级FET晶体管出现在20世纪50年代末，而功率MOSFET则是在70年代中期问世的。如今，数百万的MOSFET晶体管被集成到了各种电子元器件中，从微控制器到“离散式”功率晶体管。

本话题的重点在于各种开关模式电源转换应用中功率MOSFET的栅极驱动要求。

作者：Laszlo Balogh，德州仪器

高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南