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40Gb/s WD-PIN-PD/TIA 组件的光电特性及其测试

作者:时间:2012-11-06来源:网络收藏


3.1光电流和暗电流

光电流是探测器中作用区(又称有源区)吸收光产生载流子、通过高场下漂移或扩散,进而在PIN耗尽区产生附加电势,并在外电路流过的电流。该电流与入射光功率、光耦合效率、入射面反射系数、探测器光敏面面积、探测器中吸收层材料的光吸收系数以及内量子效率等因素紧密相关。根据连续性方程和边界条件,光电流Iopt可以表示为:

Iopt = (1- R) Iopt (x) d x = (1-R) Iopt (0) e(-α(λ)x) d x (1)

这里,R为反射系数;α(λ)为光吸收系数,对InGaAs ,α(λ)≈ (2-4) ×103 cm-1 ;

e-α(λ)反映入射光的利用率,当作用区长度L> 1/α(λ) 时,光的利用率可达95%以上;Iopt (0) 为起始光电流。它与探测器作用区中的内量子效率紧密相关,是材料结构参数的灵敏函数。

暗电流是指探测器在规定反向电压下无光照时的电流。它对探测器光接收灵敏度是一种噪声限制。也是衡量光探测器制作技术优劣的主要指标。该电流主要由PIN结耗尽区的产生电流、PIN结邻近区域的扩散电流、I区的隧道电流以及表面漏电流组成。对台面型器件,重要的是裸露的PIN台面周边保护问题。如果台面周边裸露的PIN结保护不佳,将导致表面漏电流较大,甚至成为暗电流的主要成分。通常,光敏面直径为45μm的平面型PIN-PD,暗电流一般小于1nA,而相同面积的台面型PIN-PD,暗电流一般大于10nA。我们制作的40Gb/s WD-PIN-PD,-3.3V下暗电流在0.2 nA至20nA范围。

3.2 光响应速率和-3dB带宽

数字通信光纤中传输的信号是数字式光信号,对40Gb/s光信号接受来说,光探测器必须具有高速跟踪信号的能力,其跟踪能力就是光响应速率。根据付立叶时域-频域变换,光响应速率可以用-3dB带宽来表征。

光响应速率受到载流子渡越时间,RC时间等因素的限制。
载流子渡越时间与反向偏压大小、载流子饱和漂移速度、渡越区厚度有关。光生载流子有两种——电子和空穴,它们的饱和漂移速度是不一样的。In0.53Ga0.47As中稳态电子、空穴饱和漂移速度与电场关系如图3所示。


图3 稳态电子、空穴漂移速度与电场关系

图3表明,当电场强度达5× 104 V/cm以上时,电子、空穴分别达到稳态饱和漂移速度2×106 Cm/s。 若渡越区厚度为0.58μm,电场强度为E = 5× 104 V/cm ,则这时所需外加反向偏置电压为2.9 v ,这时空穴渡越时间τP少于29ps,电子渡越时间τn少于10 ps。

40Gb/s WD-PIN-PD的RC时间可用其小信号等效电路的参数值RC来表示。40Gb/s WD-PIN-PD小信号等效电路如图4表示:


图4 40Gb/s WD-PIN-PD小信号等效电路

图4中,Iph 为40Gb/s WD-PIN-PD等效电流源,RJ为PD反向便置下的等效内阻,通常在50 MΩ以上;Cj 为PIN结电容,一般小于80f F;CP 为杂散电容,通常把它略去;Rs为PD等效串连接触电阻,一般小于15Ω;RL为负载电组;Ls为互连线等效电感。对40Gb/s WD-PIN-PD,RC可表示为:

RC ≈(Rs + RL +jωLs)Cj = ε0εr(Rs + RL+jωLs )A / w(2)

这里,A为PD的PN结面积,w为光作用区厚度。(2)式表明,要减小RC时间,就要尽量减小Rs 、RL和A;采用侧面进光的PIN-PD,目的就是减小A和w。

需要注意的是,对40Gb/s WD-PIN-PD 来说,Ls对传输特性和带宽影响极大。100μm长的连线,阻抗将达20-30(它与连线粗度和形状有关),电感将达30-40nH。因此,尽力减少互连线的长度对带宽和传输损耗都是非常重要的。

40Gb/s WD-PIN-PD的带宽Δf-3dB可通过测量其脉冲前沿上升时间t r来估算。

Δf-3dB与t r有如下近似关系:

Δf-3dB (GHz) ≈ 0.35 / t r (ns) (3)

如果t r 11 ps,则Δf-3dB > ≈31 GHz.。
这里 ,Δf-3dB 又可表示为:

Δf-3dB ≈ 1/[2π( RC)2 + τn2 ]]-2 (4)

这里τn为电子的渡越时间。值得注意的是,RC和τn都与载流子渡越区厚度w有关。W越大,PIN结电容越小,而载流子的渡越时间则越大。这是相互矛盾的。因此W的选取应折衷考虑。


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