Fairchild推出适用于整体功率分立器件技术平台的高压SPICE模型

　　过去，高压(HV)分立器件和产品开发需要经过一系列漫长的过程，在该过程多种技术通过利用TCAD*、制造与封装物理部件、进行测量及展开迭代校准周期得以开发。

　　由于设计人员采用SPICE而非TCAD模拟应用电路，因此通常在技术开发后期(即基于硅的SPICE模型最终可用时)才进行应用仿真并对其进行校准。当技术发生任何变化或调整，都要求相应的分立SPICE模型在可用于应用仿真之前进行新一轮的TCAD仿真、器件制造以及测量。

　　现在，新开发的基于物理、可扩展SPICE模型集成了工艺技术，位于设计流程的最前沿。凭借SPICE模型，设计人员可先模拟产品性能再进行器件制造，这样就能缩短设计和制造周期，进而降低成本并加快产品上市时间。

　　Fairchild已推出可扩展的物理SPICE级模型，适用于下列高压分立技术：

　　IGBT(FS沟道650 V)

　　超结FET(600 V和800 V SuperFET® MOSFET)

　　高压二极管(STEALTH™ I、II型二极管和HyperFast系列二极管)

　　Fairchild高压SPICE模型是一种适用于整个技术平台的物理模型，能够追踪布局和工艺技术变更，并非根据每个器件尺寸以及工艺变化而开发的独立分立器件模型库。

　　Fairchild全球销售与应用部门高级副总裁Chris Allexandre表示：“Fairchild专注于提供出色的高压设计平台。这些全新的SPICE模型不仅可实现虚拟原型设计，而且有助于我们的客户更快速地解决问题、开发新产品并在最短时间内上市。这也表明我们恪守承诺，为客户提供价值可观的优质服务。”