IR授权使用DirectFET封装技术

　　IR近日与两家总部分别位于不同地区的半导体供应商达成协议，授权他们使用 IR 的 DirectFET 封装技术。

　　DirectFET MOSFET封装技术基于突破性的双面冷却技术，在2002年推出后迅速成为了先进计算、消费及通信应用解决安装散热受限问题的首选解决方案。自从该技术推出后，DirectFET 便成为 IR 公司历史上增长速度最快的产品。由于 DirecFET 封装能改善电流密度和性能，IR 预期随着有关授权协议的达成，这项封装技术将成为多元化应用的行业标准。

　　IR 公司的首席执行官 Alex Lidow 先生表示：“我们不断开发节省能源的技术。IR 的 DirectFET 封装技术有助于降低能量损失并减少设计的占板面积，还能够推动计算技术的发展。”他补充道：“通过这些授权协议，我们将可以扩大 IR DirectFET 创新封装技术在节能方面的影响力。”