驱动器UCC27201上电时刻HO引脚误脉冲的分析

作者：时间：2013-09-13来源：网络收藏

摘要

在隔离DC/DC电源中经常会使用到带浮地功能的双通道驱动器UCC27201。实际应用发现，某些场景中，其HO引脚会在上电时刻产生误脉冲。该误脉冲导致系统有开机异常的风险。本文通过实际仿真和电路原理分析，详细介绍了误脉冲产生的机理，随后提供了两个针对该误脉冲的解决方案，并给予了详细解释。

1、隔离电源系统设计

某隔离电源系统完成DC/DC的转换，采用全桥拓扑，输出电压为12V。其中，全桥的原边侧驱动器就采用了UCC27201，共计两颗。

1.1隔离电源系统简述

该隔离电源系统完成宽范围输入电压（36V~72V）到12V的转换，输出功率350W。系统采用带同步整流功能的硬开关全桥拓扑（HSFB）。图1所示的是该系统的方框图，包含有主控芯片LM5035，置于原边侧的驱动器UCC27201，置于副边侧的驱动器UCC27324和隔离器等器件。

图1：隔离电源系统框图

1.2UCC27201的应用

UCC27201是带有浮地功能的MOSFET驱动器，具有高端输出和低端输出两个通道，可以应用于BUCK，半桥和全桥等拓扑。该芯片引脚的描述如下：

●VDD(Pin1)：供电引脚，范围是8V~17V，典型值为12V；

●VSS(Pin7)：芯片地引脚；

●HI,LI(Pin5,Pin6)：高端驱动输入和低端驱动输入；

●HO,LO(Pin3,Pin8)：高端驱动输出和低端驱动输出；

●HB,HS(pin2,pin4)：浮地供电和浮地引脚，用于高端驱动供电；

如图2，在本电源系统中，一颗UCC27201的两路输出驱动全桥同一侧桥臂的两个MOSFET，主要连接网络标示如蓝色字体。另一颗UCC27201的两路输出则是驱动全桥的另一侧桥臂。

图2：驱动器UCC27201的实际应用

采用上述应用电路的实际驱动信号见图3，包括了软启动和正常运行等两个阶段。

在软启动阶段，标示为Q1的MOSFET的驱动信号占空比远小于50%，而Q2的驱动信号占空比则是超过了50%，与Q1的驱动信号占空比保持为互补关系。Q3和Q4驱动信号的关系同上。

在正常运行阶段，Q1~Q4的驱动信号占空比全部都接近50%。相互之间的关系如图3所示，即Q1和Q2保持互补，Q3和Q4保持互补。

图3：全桥驱动信号

2、UCC27201HO引脚的误脉冲及根因分析

实际应用中，由于不同的UCC27201的供电电压设计有差异，当其Cboot电容充电过快时，HO引脚会出现误脉冲。该误脉冲的根因是Cboot过快的上电电压耦合到了HO引脚，同时过快的上电速率导致芯片内部对HO管脚下拉的MOSFET不能及时导通，最终造成了HO引脚输出误脉冲。

2.1HO引脚的误脉冲

实际测试上述电源系统时发现，开机时UCC27201的HO引脚有误脉冲，如图4（CH1为HO；CH4为HB与HS的差分电压，亦即Cboot电容两端的电压；CH2为LO；CH3可忽略）。该误脉冲幅度最大可超过7V，与LO交叠后会造成全桥高端MOSFET和低端MOSFET的共通，进而导致系统开机存在风险。

图4：HO引脚的误脉冲

2.2HO引脚误脉冲的根因分析

图5所示的是UCC27201内部与HO相关的电路。在HB与HS之间电压正常建立后，逻辑电路会依据HI电平的高或低而打开Qa或Qb，从而实现HO高低电平的输出。Qc是当HB与HS之间电压还处于欠压阶段时，用以导通以拉低HO引脚，确保在该阶段HO无输出。

图5：HO相关的内部电路

当HB与HS间电压还处于欠压阶段时，内部电路会产生高电平驱动信号以导通Qc。但是，该高电平驱动信号的产生存在一定的延时；同时，Qc设计用来被脉冲信号触发，而非电平信号触发。上述两个因素就造成，当HB与HS间电压上升过快时Qc将不能及时导通。此时，如果HO被HB与HS间电压耦合出高电平后（其中一个耦合途径是通过Qa和Qb的结电容），因Qc还未导通，该耦合出的高电平将得以输出，最终形成了HO的误脉冲。

如果HB与HS间电压上升速率变缓，或者HB与HS间电压先得以预建立，Qc的驱动信号（图6中的蓝色线和红色线）的高电平脉冲将会变宽，这就能保证Qc导通，误脉冲就会被消除。

下文就围绕HB与HS间电压的上升斜率和预建立这两个方向来讨论，以解决HO的误脉冲问题。

图6：HB与HS电压斜率不同的影响

3、解决措施之增大Cboot电容

在相同充电速率条件下，增大Cboot电容可以将HB与HS之间的电压上升斜率变缓，以得到足够宽的高电平信号并使Qc导通。

3.1Cboot充电过程分析

如图7所示，UCC27201内部有二极管（D1）连接Pin1（VDD）和Pin2（HB）。在Pin1的外部连接有供电网络（电压为12V），电容Cd（1uF）和串联电阻Ri（10ohm）；在Pin2则接有Cboot电容。Cboot电容的充电主要是通过D1这条路径完成的。

经过仿真分析（如图8）知，Cboot的充电主要包含如下两个阶段：

●阶段一：电容Cd通过D1给Cboot充电。充电电流如图8中的红色线所示，先是急剧上升到最大，然后缓慢下降。同时，电容Cd的电压（绿色线）逐渐下降，电容Cboot的电压（粉色线）逐渐上升。当Cd与Cboot的压差减小为约0.65V（二极管D1的正向导通压降）时，第一阶段结束。

●阶段二：12V供电电压给Cd和Cboot充电。受限于Ri，充电电流将小于1.2A（12V/10ohm）。

图8中的仿真结果是基于Cboot为300nF，图9的仿真结果则是基于Cboot为100nF。对比二者知，修改Cboot电容容量所带来的主要影响是第一个充电阶段的持续时间，分别约为280ns和120ns。下节会分析第一阶段持续时间不同可能会带来的风险。

图10给出的是实测波形，其中CH1是LO的波形；CH2是HB-HS的波形；CH3是HO的波形，CH4是VDD的电压波形。可以看到，在UCC27201上电后，VDD电压快速下降，然后又缓慢上升，这与仿真结果一致。

图7：Cboot电容充电电路图8：Cboot为300nF时的仿真结果

图9：Cboot为100nF时的仿真结果图10：充电过程的实测波形

3.2增大Cboot电容的风险分析

在UCC27201的实际应用中，需要注意内部二极管D1的反向恢复应力。

当LO的输出由高变低后，HS电压会升高，HB电压同样也会升高，此时内部二极管将承受反压，并承受随后出现的反向恢复应力。如果反向恢复应力出现之前时刻的二极管正向导通电流超出额定范围，反向恢复应力则会过大而导致二极管失效。UCC27201要求内部二极管承受反向恢复应力前的正向导通电流在2A以下。

在该电源系统中，将Cboot修改为300nF后，二极管正向电流在约280ns后降低到2A。而在开机的第一个周期内，下管的持续时间超过了3us（如图11，CH1和CH2是全桥两个下管的驱动信号），即3us之后内部二极管才会有反向恢复应力，由于此时正向导通电流已经远低于2A，二极管无可靠性风险。因此，修改Cboot容值到300nF后二极管不会有失效风险。