一款可实现超低压差CMOS线性稳压器的设计方案
图5过热保护电路
利用晶体管的VBE具有负温度系数的特性，将Q0作为测温元件，由M12、M13、M10、M5、和M4形成一比较器，M11、R1和R2组成分压电路。在低于温度设定值时设计VGM12 VGM13，比较器反转，VGM3变为高电平，TOUT的输出为低电平，从而实现关断调整管。本电路的温度保护设定值为160℃，Hspice的模拟结果如图6所示，图中×代表输出电压VOUT，⊙代表VGM12，Δ代表VGM13，负载电流为300mA.
图6输出电压随温度的变化( I0=300mA)
3.5总体电路模拟结果
本电路采用韩国现代公司0.6μm工艺模型，通过Hspice对整体电路及各关键模块进行了模拟优化，典型工作条件下模拟结果如表1，输出电压随输入电压及温度的变化如图6、图7所示，模拟结果充分验证了设计的正确性。
图7输出电压随输入电压的变化( IO = 300mA)
4总结
本文分析讨论了低压差线性稳压器的工作特性及设计考虑，并给出了关键模块的电路设计图，HSPICE的模拟结果验证了电路具有良好特性，该电路采用标准CMOS工艺实现，具有较高的实用价值。
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