基于功率场效应管（MOSFET）的结构工作原理及应用

本文将介绍功率MOSFET(场效应管)的结构、工作原理及基本工作电路。

什么是MOSFET(场效应管)

“MOSFET(场效应管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(场效应管)(Power MOSFET(场效应管))是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。

MOSFET(场效应管)的结构

图1是典型平面N沟道增强型MOSFET(场效应管) 的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la)，在其面上扩散了两个N型区(图lb)，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)绝缘层(图lc)，最 后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)，如图1d所示。

从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。

图1是N沟道增强型MOSFET(场效应管)的基本结构图。为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有 不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。图2是一种N沟道增强型功率MOSFET(场效应管)的结构图。虽然有不同的结构，但其 工作原理是相同的，这里就不一一介绍了。MOSFET(场效应管)的工作原理

要使增强型N沟道MOSFET(场效应管)工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。如图3所示。

若先不接VGS(即VGS=0)，在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷(如图3)。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子(空穴)的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压(或称阈值电压、门限电压)，用符号VT表示(一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT)。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系，如图4所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。

由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET(场效应管)为增强型。另一类MOSFET(场效应管)，在VGS=0时也有一定的ID(称为IDSS)，这种MOSFET(场效应管)称为耗尽型。它的结构如图5所示，它的转移特性如图6所示。VP为夹断电压(ID=0)。

耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在VGS=0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS);当VGS有电压时(可以是正电压或负电压)，改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID=0时的-VGS，称为夹断电压。

除了上述采用P型硅作衬底形成N型导电沟道的N沟道MOSFET(场效应管)外，也可用N型硅作衬底形成P型导电沟道的P沟道MOSFET(场效应管)。这样，MOSFET(场效应管)的分类如图7所示。

耗尽型：N沟道(图7a);P沟道(图c);

增强型：N沟道(图b);P沟道(图d)。