技术知识：基于薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案

发展

薄膜技术以及厚膜技术的一项最新发展是在给定的EIA标准片状电阻器尺寸上获得了更高的额定功率(如表1所示)。这一重要进步使得工程师能够使设计小型化，而无须牺牲功率处理能力。对于增强电流设计、减小未来设计的尺寸、产出更小的最终产品或在同尺寸产品中提供更多功能而言，这项突破都是至关重要的。

影响薄膜技术批量应用于片状电阻器制造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片状电阻器的常见价位要比最接近它的厚膜同类产品高10〜 100倍。为了减少这种差异，供应商需要对薄膜材料进行完全重新设计，以满足高速低成本生产的需要。它还需要开发一种高速的内联式薄膜制造工艺。降低成本的最后一步是将对薄膜材料的要求从高精度级别(0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR)放宽到商用、通用和商品级别(1%容差和100×10-6 /℃的TCR)。这3项进步可以同时应用于价格仅为常见商品厚膜片状电阻器的10%〜20%的片状电阻器。那可能是所有发展中最引人注目的一项。