高亮度LED封装散热设计全攻略

　　前言：

　　过去LED只能拿来做为状态指示灯的时代，其封装散热从来就不是问题，但近年来LED的亮度、功率皆积极提升，并开始用于背光与电子照明等应用后，LED的封装散热问题已悄然浮现。

　　上述的讲法听来有些让人疑惑，今日不是一直强调LED的亮度突破吗？2003年Lumileds Lighting公司Roland Haitz先生依据过去的观察所理出的一个经验性技术推论定律，从1965年第一个商业化的LED开始算，在这30多年的发展中，LED约每18个月;24个月可提升一倍的亮度，而在往后的10年内，预计亮度可以再提升20倍，而成本将降至现有的1/10，此也是近年来开始盛行的Haitz定律，且被认为是LED界的Moore（摩尔）定律。

　　依据Haitz定律的推论，亮度达100lm/W（每瓦发出100流明）的LED约在2008年;2010年间出现，不过实际的发展似乎已比定律更超前，2006年6月日亚化学工业（Nichia）已经开始提供可达100lm/W白光LED的工程样品，预计年底可正式投入量产。

　　Haitz定律可说是LED领域界的Moore定律，根据Roland Haitz的表示，过去30多年来LED几乎每18;24个月就能提升一倍的发光效率，也因此推估未来的10年（2003年;2013年）将会再成长20倍的亮度，但价格将只有现在的1/10。

　　不仅亮度不断提升，LED的散热技术也一直在提升，1992年一颗LED的热阻抗（Thermal Resistance）为360℃/W，之后降至125℃/W、75℃/W、15℃/W，而今已是到了每颗6℃/W∼10℃/W的地步，更简单说，以往LED每消耗1瓦的电能，温度就会增加360℃，现在则是相同消耗1瓦电能，温度却只上升6℃~10℃。

　　少颗数高亮度、多颗且密集排布是增热元凶

　　既然亮度效率提升、散热效率提升，那不是更加矛盾？应当更加没有散热问题不是？其实，应当更严格地说，散热问题的加剧，不在高亮度，而是在高功率；不在传统封装，而在新封装、新应用上。

　　首先，过往只用来当指示灯的LED，每单一颗的点亮（顺向导通）电流多在5mA;30mA间，典型而言则为20mA，而现在的高功率型LED（注1），则是每单一颗就会有330mA;1A的电流送入，「每颗用电」增加了十倍、甚至数十倍（注2）。

　　注1：现有高功率型LED的作法，除了将单一发光裸晶的面积增大外，也有实行将多颗裸晶一同封装的作法。事实上有的白光LED即是在同一封装内放入红、绿、蓝3个原色的裸晶来混出白光。

　　注2：虽然各种LED的点亮（顺向导通）电压有异，但在此暂且忽略此一差异。

　　在相同的单颗封装内送入倍增的电流，发热自然也会倍增，如此散热情况当然会恶化，但很不幸的，由于要将白光LED拿来做照相手机的闪光灯、要拿来做小型照明用灯泡、要拿来做投影机内的照明灯泡，如此只是高亮度是不够的，还要用上高功率，这时散热就成了问题。

　　上述的LED应用方式，仅是使用少数几颗高功率LED，闪光灯约1~4颗，照明灯泡约1~8颗，投影机内10多颗，不过闪光灯使用机会少，点亮时间不长，单颗的照明灯泡则有较宽裕的周遭散热空间，而投影机内虽无宽裕散热空间但却可装置散热风扇。

　　图中为InGaN与AlInGaP两种LED用的半导体材料，在各尖峰波长（光色）下的外部量子化效率图，虽然最理想下可逼近40％，但若再将光取效率列入考虑，实际上都在15％;25％间，何况两种材料在更高效率的部分都不在人眼感受性的范畴内，范畴之下的仅有20％。

　　可是，现在还有许多应用是需要高亮度，但又需要将高亮度LED密集排列使用的，例如交通号志灯、讯息广告牌的走马灯、用LED组凑成的电视墙等，密集排列的结果便是不易散热，这是应用所造成的散热问题。

　　更有甚者，在液晶电视的背光上，既是使用高亮度LED，也要密集排列，且为了讲究短小轻薄，使背部可用的散热设计空间更加拘限，且若高标要求来看也不应使用散热风扇，因为风扇的吵杂声会影响电视观赏的品味情绪。

　　散热问题不解决有哪些副作用？

　　好！倘若不解决散热问题，而让LED的热无法排解，进而使LED的工作温度上升，如此会有什么影响吗？关于此最主要的影响有二：（1）发光亮度减弱、（2）使用寿命衰减。

　　举例而言，当LED的p-n接面温度（Junction Temperature）为25℃（典型工作温度）时亮度为100，而温度升高至75℃时亮度就减至80，到125℃剩60，到175℃时只剩40。很明显的，接面温度与发光亮度是呈反比线性的关系，温度愈升高，LED亮度就愈转暗。

　　温度对亮度的影响是线性，但对寿命的影响就呈指数性，同样以接面温度为准，若一直保持在50℃以下使用则LED有近20，000小时的寿命，75℃则只剩10，000小时，100℃剩5，000小时，125℃剩2，000小时，150℃剩1，000小时。温度光从50℃变成2倍的100℃，使用寿命就从20，000小时缩成1/4倍的5，000小时，伤害极大。

　　裸晶层：光热一体两面的发散源头：p-n接面

　　关于LED的散热我们同样从最核心处逐层向外讨论，一起头也是在p-n接面部分，解决方案一样是将电能尽可能转化成光能，而少转化成热能，也就是光能提升，热能就降低，以此来降低发热。

　　如果更进一步讨论，电光转换效率即是内部量子化效率（Internal Quantum Efficiency；IQE），今日一般而言都已有70％∼90％的水平，真正的症结在于外部量子化效率（External Quantum Efficiency；EQE）的低落。

　　以Lumileds Lighting公司的Luxeon系列LED为例，Tj接面温度为25℃，顺向驱动电流为350mA，如此以InGaN而言，随着波长（光色）的不同，其效率约在5％∼27％之间，波长愈高效率愈低（草绿色仅5％，蓝色则可至27％），而AlInGaP方面也是随波长而有变化，但却是波长愈高效率愈高，效率大体从8％∼40％（淡黄色为低，橘红最高）。（图片来源：www.ledhp.com）

　　从Lumileds公司Luxeon系列LED的横切面可以得知，硅封胶固定住LED裸晶与裸晶上的荧光质（若有用上荧光质的话），然后封胶之上才有透镜，而裸晶下方用焊接（或导热膏）与硅子镶嵌芯片（Silicon Sub-mount Chip）连接，此芯片也可强化ESD静电防护性，往下再连接散热块，部分LED也直接裸晶底部与散热块相连。

　　Lumileds公司Luxeon系列LED的裸晶实行覆晶镶嵌法，因此其蓝宝石基板变成在上端，同时还加入一层银质作为光反射层，进而增加光取出量，此外也在Silicon Submount内制出两个基纳二极管（Zener Diode），使LED获得稳压效果，使运作表现更稳定。

　　由于增加光取出率（Extraction Efficiency，也称：汲光效率、光取效率）也就等于减少热发散率，等于是一个课题的两面。

　　裸晶层：基板材料、覆晶式镶嵌

　　如何在裸晶层面增加散热性，改变材质与几何结构再次成为必要的手段，关于此目前最常用的两种方式是：1.换替基板（Substrate，也称：底板、衬底，有些地方也称为：Carrier）的材料。2.经裸晶改采覆晶（Flip-Chip，也称：倒晶）方式镶嵌（mount）。

　　先说明基板部分，基板的材料并不是说换就能换，必须能与裸晶材料相匹配才行，现有AlGaInP常用的基板材料为GaAs、Si，InGaN则为SiC、Sapphire（并使用AlN做为缓冲层）。

　　为了强化LED的散热，过去的FR4印刷电路板已不敷应付，因此提出了内具金属核心的印刷电路板，称为MCPCB，运用更底部的